半导体晶片以及制备半导体器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107665818A(43)申请公布日2018.02.06(21)申请号201710626632.2(22)申请日2017.07.28(30)优先权数据15/223,4052016.07.29US(71)申请人半导体元件工业有限责任公司地址美国亚利桑那(72)发明人M·J·塞登(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人刘倜(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)H01L23/544(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图9页(54)发明名称半导体晶片以及制备半导体器件的方法(57)摘要本公开涉及半导体晶片以及制备半导体器件的方法。本发明提供了一种半导体晶片，半导体晶片具有基础材料，基础材料具有第一厚度以及第一表面和第二表面。晶片划线标记设置在基础材料的第一表面上。移除基础材料的第二表面的内部区的一部分以得到小于第一厚度的第二厚度，同时留下围绕半导体晶片的具有第一厚度和非对称宽度的基础材料的边缘支撑环。基础材料的第二厚度小于75微米。晶片划线标记设置在边缘支撑环内。基础材料的第二表面的内部区的移除部分从晶片划线标记垂直偏移。边缘支撑环的宽度较宽以包围晶片划线标记并且在围绕半导体晶片的其它地方较窄。CN107665818ACN107665818A权利要求书1/1页1.一种制备半导体器件的方法，包括：提供包括基础材料的半导体晶片；在所述基础材料的第一表面上提供晶片划线标记；以及从与所述第一表面相对的第二表面移除所述基础材料的一部分，同时留下围绕所述半导体晶片的具有非对称宽度的所述基础材料的边缘支撑环，其中所述晶片划线标记设置在所述边缘支撑环内。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基础材料的所述移除部分的厚度小于75微米。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片的宽度为150-300毫米。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述边缘支撑环的宽度较宽以包围所述晶片划线标记，并且在围绕所述半导体晶片的其它地方较窄。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述边缘支撑环的所述非对称宽度为3.0-5.0毫米以包围所述晶片划线标记，并且在围绕所述半导体晶片的其它地方为2.0-4.2毫米。6.一种半导体晶片，其包括基础材料，所述半导体晶片包括：位于所述基础材料的第一表面上的晶片划线标记；所述基础材料的边缘支撑环，围绕所述半导体晶片，具有第一厚度和非对称宽度；以及所述基础材料的第二表面的内部区，具有小于所述第一厚度的第二厚度，其中所述晶片划线标记设置在所述边缘支撑环内。7.根据权利要求6所述的半导体晶片，其中所述基础材料的所述第二厚度小于75微米。8.根据权利要求6所述的半导体晶片，其中所述基础材料的所述第二厚度为10-50微米。9.根据权利要求6的半导体晶片，其中所述基础材料的所述内部区与所述晶片划线标记垂直偏移开。10.根据权利要求6所述的半导体晶片，其中所述边缘支撑环的宽度较宽以包围所述晶片划线标记并且在围绕所述半导体晶片的其它地方较窄。2CN107665818A说明书1/7页半导体晶片以及制备半导体器件的方法技术领域[0001]本发明整体涉及半导体器件，并且更具体地涉及半导体晶片以及减小晶片厚度同时使用非对称边缘支撑环包围晶片划线标记的方法。背景技术[0002]半导体器件在现代电子产品中很常见。电子部件中半导体器件的数量和密度各不相同。半导体器件可执行多种多样的功能，诸如模数信号处理、传感器、电磁信号的发送和接收、电子器件控制、功率管理以及音频/视频信号处理。分立半导体器件通常包含一种类型的电子部件，例如，发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、二极管、整流器、晶闸管以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件通常包括数百至数百万的电子部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、专用集成电路(ASIC)、电源转换、标准逻辑、放大器、时钟管理、存储器、接口电路以及其他信号处理电路。[0003]半导体晶片包括基础衬底材料和多个半导体管芯，所述多个半导体管芯形成在由锯道分开的晶片的有源表面上。图1a示出具有基础衬底材料12、有源表面14和背表面16的常规半导体晶片10。[0004]许多应用要求减小半导体管芯的高度或厚度以最小化半导体封装的尺寸。图1b示出用研磨机或砂轮20进行的研磨操作，移除了半导体晶片10的背表面16的一部分，并将半导体晶片的厚度减小至约100微米(μm)。砂轮20受控，以围绕半导体晶片10的周边留出基础衬底材料12的边缘支撑环22，用于结构支撑。砂轮20减小了边缘支撑环22内晶片的内部区或晶片研磨区域24中半导体晶片10的厚度。图1c示出砂轮20的顶视图