半导体器件以及制造半导体器件的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115985952A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211419119.3(22)申请日2022.11.14(71)申请人英诺赛科（珠海）科技有限公司地址519085广东省珠海市高新区金鼎工业园金园二路39号(72)发明人马勇梁耀(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287专利代理师王允方(51)Int.Cl.H01L29/423(2006.01)H01L29/40(2006.01)权利要求书3页说明书14页附图16页(54)发明名称断。半导体器件以及制造半导体器件的方法(57)摘要本发明是关于一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包含：衬底；第一氮化物半导体层，位于所述衬底上方；第二氮化物半导体层，位于所述第一氮化物半导体层上方，且具有大于所述第一氮化物半导体者的能隙，所述第二氮化物半导体层包含第一经掺杂区域和第一本征区域；源极接触及漏极接触，位于所述第二氮化物半导体层上方；栅极结构，位于所述第二氮化物半导体层上方和所述源极接触和所述漏极接触之间，所述栅极结构包含第三氮化物半导体层和位于其上方的栅极接触；以及，第四氮化物半导体层，位于所述第二氮化物半导体层上方和所述栅极结构接触和所述漏极接触之间；其中，大体上沿连接所述源极接触和所述漏极接触的方向上，所述栅极结构朝所述衬底方向的投影与所述第一经掺杂区域朝所述衬底方向的投影重叠。本发明改善半导体器件的栅极漏CN115985952A电流效应，使栅极漏电流最小化甚至完全被阻CN115985952A权利要求书1/3页1.一种半导体器件，包含：衬底；第一氮化物半导体层，位于所述衬底上方；第二氮化物半导体层，位于所述第一氮化物半导体层上方，且具有大于所述第一氮化物半导体者的能隙，所述第二氮化物半导体层包含第一经掺杂区域和第一本征区域；源极接触及漏极接触，位于所述第二氮化物半导体层上方；栅极结构，位于所述第二氮化物半导体层上方，且位于所述源极接触和所述漏极接触之间，所述栅极结构包含第三氮化物半导体层和位于其上方的栅极接触；以及，第四氮化物半导体层，位于所述第二氮化物半导体层上方，且位于所述栅极结构接触和所述漏极接触之间；其中，大体上沿连接所述源极接触和所述漏极接触的方向上，所述栅极结构朝所述衬底方向的投影与所述第一经掺杂区域朝所述衬底方向的投影重叠。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，大体上沿连接所述所述源极接触和所述漏极接触的方向上，所述栅极结构朝所述衬底方向的投影与所述第一本征区域朝所述衬底方向的投影重叠。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三氮化物半导体层包含经一次掺杂的第二经掺杂区域和经二次掺杂的第二经掺杂区域。4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂区域与所述第四氮化物半导体层接触。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述经二次掺杂的第二经掺杂区域与所述第四氮化物半导体层接触。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第三氮化物半导体层包含第一侧壁，所述第一侧壁与所述经二次掺杂的第二经掺杂区域接触。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三氮化物半导体层包含第一侧壁，其中，大体上沿连接所述源极接触和所述漏极接触的方向上，所述第一侧壁朝所述衬底方向的投影与所述第一本征区域朝所述衬底方向的投影重叠。8.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其中所述第一侧壁邻近所述源极接触。9.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其中所述第一侧壁邻近所述漏极接触。10.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第三氮化物半导体层包含第二侧壁，其中，大体上沿连接所述源极接触和所述漏极接触的方向上，所述第二侧壁朝所述衬底方向的投影与所述第一本征区域朝所述衬底方向的投影重叠。11.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第四氮化物半导体层包含AlN。12.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂区域包含氧。13.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述经二次掺杂的第二经掺杂区域包含氮氧化镓。14.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂区域包含氮氧化铝镓。15.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂区域包含非晶型所述第二氮化物半导体。16.一种制造半导体器件的方法，包含：2CN115985952A权利要求书2/3页提供衬底；于所述衬底上方设置第一氮化物半导体层；于所述第一氮化物半导体层上方布置第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有大于所述第一氮化物半导体者的能隙；于所述第二氮化物半导体层上方布置源极接触及漏极接触；于所述第二氮化物半导体层上方，且位于所述源极接触和所述漏极接触之间布置栅