半导体器件的制备方法及半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114334632A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202111652858.2(22)申请日2021.12.30(71)申请人北海惠科半导体科技有限公司地址536005广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室(72)发明人史仁先王国峰(74)专利代理机构北京华夏泰和知识产权代理有限公司11662代理人刘敏(51)Int.Cl.H01L21/225(2006.01)H01L21/311(2006.01)H01L21/329(2006.01)H01L29/872(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图4页(54)发明名称半导体器件的制备方法及半导体器件(57)摘要本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该半导体器件的制备方法包括：在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层；在外延层内形成掺杂区；在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃；通过漂酸的方式对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除；在高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃，在第一氧化层背离衬底的一侧形成牺牲层；通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除。本申请通过在低温条件下生长出比较疏松的牺牲层并去除牺牲层及部分第一氧化层，使得生产的半导体器件具有较小的漏电特性。CN114334632ACN114334632A权利要求书1/1页1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层；在外延层内形成掺杂区；在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃；通过漂酸的方式对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除；在高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃，在第一氧化层背离衬底的一侧形成牺牲层；通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃的步骤中，还包括：向高温炉内通入氮气和氧气，氮气流量为10SLM‑15SLM，氧气流量为0.5SLM‑1.5SLM。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃的步骤中，预扩散时间为30min‑90min。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃的步骤中，还包括：向高温炉内通入氢气和氧气，氢气的流量和氧气的流量之比为1.5‑1.8。5.根据权利要求1或4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃的步骤中，预扩散时间为20min‑40min。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通过离子注入形成掺杂区的外延层厚度与通过涂覆形成掺杂区的外延层厚度差值为0.25um‑0.5um。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述外延层内形成掺杂区的步骤中，还包括：通过刻蚀的方式使第一氧化层形成沟槽，并通过涂覆的方式在衬底的沟槽内形成掺杂区。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用氢氟酸或者去离子水对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除，采用氢氟酸或者去离子水对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除的步骤之后，还包括:在真空度为E‑3Pa，温度为350℃‑400℃的真空环境中生长金属层。10.一种半导体器件，采用权利要求1‑9任一项所述的半导体器件的制备方法制成，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底；外延层，形成于所述衬底一侧；第一氧化层，形成于所述外延层背离所述衬底的一侧；以及，掺杂区，形成于所述外延层内。2CN114334632A说明书1/8页半导体器件的制备方法及半导体器件技术领域[0001]本申请涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。背景技术[0002]目前，随着电子产品在日常生活中日益普及，以及电子产品中器件尺寸的减小，密度增加，节省电源消耗已经成为主要挑战之一。[0003]在半导体器件的制作过程中，需要向半导体基材掺杂，以形成N型半导体或P型半导体。在源漏区制备中，如以离子注入等方式形成掺杂区后，通