半导体器件的制备方法和半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111524856A(43)申请公布日2020.08.11(21)申请号202010248421.1(22)申请日2020.04.01(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人刘秀勇陈正嵘张继亮(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人黎伟(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L29/06(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称半导体器件的制备方法和半导体器件(57)摘要本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，包括：提供一衬底，衬底上形成有外延层，外延层上形成有ESD结构和第一氧化层，外延层中形成有DTI结构；在ESD结构、第一氧化层和DTI结构的表面形成第二氧化层；去除ESD结构、第一氧化层和DTI结构上方的第二氧化层，剩余的第二氧化层在ESD结构的周侧形成侧壁；在ESD结构和第一氧化层的上方依次形成第一层间介质和第二层间介质；在第一层间介质、第二层间介质和DTI结构中形成接触通孔，在接触通孔上形成金属引线，接触通孔的底端与DTI结构连接。本申请通过在ESD结构的周侧形成侧壁，该侧壁能够在一定程度上解决了由于第一层间介质和第二层间介质侧边缘坡度较大而引起的金属残留问题。CN111524856ACN111524856A权利要求书1/2页1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层上形成有ESD结构和第一氧化层，所述外延层中形成有DTI结构；在所述ESD结构、所述第一氧化层和所述DTI结构的表面形成第二氧化层；去除所述ESD结构、所述第一氧化层和所述DTI结构上方的第二氧化层，剩余的第二氧化层在所述ESD结构的周侧形成侧壁；在所述ESD结构和所述第一氧化层的上方依次形成第一层间介质和第二层间介质；在所述第一层间介质、所述第二层间介质和所述DTI结构中形成接触通孔，在所述接触通孔上形成金属引线，所述接触通孔的底端与所述DTI结构连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层、所述第二氧化层、所述第一层间介质包括硅氧化物。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述DTI结构包括与所述外延层连接的第一氧化层和所述第一氧化层中的第一多晶硅层，所述接触通孔的底端与所述第一多晶硅层连接。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一层间介质、所述第二层间介质和所述DTI结构中形成接触通孔和金属引线，包括：对所述第一层间介质、所述第二层间介质和所述第一多晶硅层进行刻蚀，在所述第一层间介质、所述第二层间介质和所述第一多晶硅层中形成第一通孔，使所述第一通孔底端的第一多晶硅层暴露；在所述第二层间介质的表面形成金属层，所述金属层填充所述第一通孔形成所述接触通孔；对所述金属层进行刻蚀，保留所述第一接触通孔上的预定区域的金属层，形成所述金属引线。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属层包括铝和/或钨。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二介质层的表面形成金属层，包括：通过PVD工艺在所述第二层间介质的表面沉积形成所述金属层。7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述ESD结构包括第三氧化层和形成于所述第三氧化层上的第二多晶硅层，所述第三氧化层与所述外延层连接。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二多晶硅层中形成有第一离子注入区和第二离子注入区，所述第一离子注入区的离子注入类型与所述第二离子注入区的离子注入类型不同。9.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层形成于所述衬底上，所述外延层上形成有ESD结构和第一氧化层，所述外延层中形成有DTI结构，所述ESD结构的周侧形成有第二氧化层；第一层间介质，所述第一阶层间介质形成于所述ESD结构和所述第一氧化层的上方；第二层间介质，所述第二层间介质形成于所述第一层间介质的上方；接触通孔，所述接触通孔形成于所述第一层间介质、所述第二层间介质和所述DTI结构2CN111524856A权利要求书2/2页中，所述接触通孔的底端与所述DTI结构连接；金属引线，所述金属引线形成于所述接触通孔上。10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述第一氧化层、所述第二氧化层、所述第一层间介质和所述第二层间介质包括硅氧化物。11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述DTI结构包括与所述外延层连接的第一氧化层和所述第一氧化层中的第一多晶硅层，所述接触通孔的底端与所述第一多晶硅层连接。12.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述接触通孔和所述金属引线包括铝和/