形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108335970A(43)申请公布日2018.07.27(21)申请号201710893281.1(22)申请日2017.09.27(30)优先权数据10-2017-00092922017.01.19KR(71)申请人三星SDI株式会社地址韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号(72)发明人尹熙灿郭泽秀裵鎭希徐珍雨卢健培张俊英(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人杨贝贝臧建明(51)Int.Cl.H01L21/033(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置(57)摘要一种形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置。形成图案的方法包括：在衬底上形成蚀刻对象层，在蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层，形成完全覆盖第一层的凸图案的第二层，部分地移除第二层以暴露出凸图案的顶部、同时留下设置于凸图案的侧处的第二层，移除第一层以暴露出蚀刻对象层的顶部，以及使用设置于被移除的第一层的凸部的侧面处的第二层作为蚀刻掩模对蚀刻对象层进行蚀刻，其中第一层及第二层中的一者为含碳的层且另一者为含硅的层，含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对硅的组合物进行热处理来形成。本发明可实现精细的图案并同时提高良率。CN108335970ACN108335970A权利要求书1/1页1.一种形成图案的方法，其特征在于，包括：在衬底上形成蚀刻对象层，在所述蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层，形成完全覆盖所述第一层的所述凸图案的第二层，部分地移除所述第二层以暴露出所述凸图案的顶部，同时留下设置在所述凸图案的侧处的所述第二层，移除所述第一层以暴露出所述蚀刻对象层的顶部，以及使用设置于被移除的所述第一层的所述凸图案的所述侧处的所述第二层作为蚀刻掩模对所述蚀刻对象层进行蚀刻，其中所述第一层及所述第二层中的一者为含碳的层，且另一者为含硅的层，所述含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对所述含硅的组合物进行热处理来形成。2.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，所述第一层为所述含碳的层，且所述方法进一步包括在形成所述第一层与形成所述第二层之间，对所述第一层的表面施加能量。3.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，对所述含硅的组合物进行所述涂布是通过旋涂方法、网版印刷方法、狭缝涂布方法或喷涂方法来执行。4.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，所述形成图案的方法进一步包括在形成所述第二层与部分地移除所述第二层以暴露出所述凸图案的顶部之间，向所述第二层添加冲洗溶液。5.根据权利要求4所述的形成图案的方法，其特征在于，在所述向所述第二层添加所述冲洗溶液之后的所述第二层包括具有凸图案的经固化部且在所述第一层上具有预定厚度。6.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，当所述第一层为含碳的层且所述第二层为含硅的层时，在对所述第一层的表面施加所述能量时，所述能量为热量、紫外线、微波、声波、超声波或其组合。7.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，所述含碳的层是通过对包含非晶碳、旋涂碳或其组合的有机材料进行涂布或沉积来形成。8.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，所述含硅的层包括SiCN、SiOC、SiON、SiOCN、SiC、SiN或其组合。9.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，所述形成图案的方法进一步包括在形成所述蚀刻对象层与形成所述第一层之间形成中间层。10.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，所述形成图案的方法进一步包括在所述对所述蚀刻对象层进行蚀刻之后移除所述第二层。11.一种精细图案层，其特征在于，通过根据权利要求1所述的形成图案的方法来形成。12.一种半导体装置，其特征在于，包括根据权利要求11所述的精细图案层。2CN108335970A说明书1/6页形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置[0001]相关申请的交叉参考[0002]本申请主张在2017年1月19日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0009292号的优先权及权利，所述韩国专利申请的全部内容并入本文供参考。技术领域[0003]本发明涉及一种形成图案的方法以及具有通过所述方法形成的图案的半导体装置。背景技术[0004]近来，半导体行业已发展至具有数纳米至数十纳米尺寸图案的超精细技术。此种超精细技术本质上需要有效的微影技术。[0005]典型微影技术包括：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光刻胶层；将所述光刻胶层曝光及显影以提供光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模对对象层进行蚀刻。[0006]如今，随着所要形成的图案的小型化，难以仅通过