形成半导体器件的图案的方法.pdf

本发明公开一种形成半导体器件的图案的方法，具体地公开了使用间隔物图案化工序形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：在包括间隔物图案的基板上涂覆可显影的抗反射膜；在抗反射膜上涂覆光阻膜；以及利用曝光和显影工序将抗反射膜和光阻膜图案化以形成蚀刻掩模图案。蚀刻掩模图案具有良好的轮廓。当使用蚀刻掩模图案蚀刻下面的基层时，可以保证足够的蚀刻裕量，从而获得可靠的半导体器件。

2023-10-22

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一种用于形成半导体图案的方法及半导体器件的制造方法.pdf

本公开提供了一种用于形成半导体图案的方法及半导体器件的制造方法。该用于形成半导体图案的方法包括：提供半导体衬底，在该半导体衬底上方依次形成待处理层以及牺牲层。利用预设掩膜版对牺牲层进行一次或多次光刻，以在牺牲层上形成第一设定图案，该第一设定图案具有间隙。在具有第一设定图案的牺牲层上形成间隔物，达到利用间隔物缩小间隙的尺寸的目的。然后去掉牺牲层，以利用间隔物形成第二设定图案。接着将第二设定图案转移到待处理层上，以在待处理层上形成第二设定图案。该半导体器件的制造方法包括本公开用于形成半导体图案的方法。本公开能

2023-07-21

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形成半导体器件的方法及半导体器件.pdf

在实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：在源极/漏极区和栅极掩模上沉积保护层，栅极掩模设置在栅极结构上，栅极结构设置在衬底的沟道区上，沟道区邻接源极/漏极区；蚀刻穿过保护层的开口，开口暴露该源极/漏极区；在开口中和在保护层上沉积金属；对金属进行退火，以在源极/漏极区上形成金属半导体合金区；以及利用清洗工艺从开口去除金属的残留物，该保护层在清洗工艺期间覆盖栅极掩模。根据本申请的其他实施例，还提供了一种半导体器件。

2023-11-05

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使用半双向图案化和岛形成半导体器件的方法.pdf

本发明涉及一种使用半双向图案化和岛形成半导体器件的方法。提供了使用半双向图案化制造集成电路器件的器件和方法。一种方法例如包括：获得具有电介质层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第三硬掩模层和光刻叠层的中间半导体器件；图案化第一组线；在第一组线之间图案化第二组线；蚀刻以限定第一和第二组线的组合；沉积第二光刻叠层；图案化岛的组；蚀刻以限定该组的岛，留下OPL；在OPL上沉积间隔物；蚀刻间隔物，留下垂直间隔物的组；以及使用第三硬掩模层和该组的垂直间隔物作为掩模蚀刻第二硬掩模层。

2023-11-18

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形成半导体器件的方法.pdf

根据本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法，包括在半导体晶圆上形成晶种层，在晶种层上涂覆光刻胶，实施光刻工艺以曝光光刻胶，以及显影光刻胶以在光刻胶中形成开口。暴露晶种层，并且其中，该开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至第一开口的第二开口。在第一开口和第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得开口和与第一开口相邻的所有角度都大于90度。该方法还包括在光刻胶的开口中镀金属焊盘、金属线和金属贴片，去除光刻胶，以及蚀刻晶种层以留下金属焊盘、金属线和金属贴片。根据本申请的实施例，还提供了其他形成半导

2023-11-14

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