阵列基板及其制备方法、显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108346622A(43)申请公布日2018.07.31(21)申请号201710061083.9(22)申请日2017.01.25(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司(72)发明人苏磊张正东周刚杨小飞代科(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人彭久云(51)Int.Cl.H01L21/84(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图10页(54)发明名称阵列基板及其制备方法、显示面板(57)摘要一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该制备方法包括：提供包括显示区和位于所述显示区外围的引线区的衬底基板，在所述引线区中形成连接电极的过程中保留用于对其进行构图工艺的第一光刻胶层，然后在所述衬底基板上沉积反射像素电极层薄膜并对其进行构图工艺以在所述显示区中形成反射像素电极层且在所述引线区内去除所述反射像素电极层薄膜以暴露出所述第一光刻胶层，然后同时去除所述反射像素电极层上用于对所述反射像素电极层薄膜进行构图的第二光刻胶层和所述引线区内的所述第一光刻胶层。上述第一光刻胶层可防止形成反射像素电极层时用的腐蚀液其它部件造成腐蚀；第一光刻胶层与第二光刻胶层同时去除可以省掉一次光刻胶清洗工艺。CN108346622ACN108346622A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区外围的引线区；在所述引线区内形成接触垫；在所述显示区内于所述衬底基板上形成源漏电极层；在所述衬底基板上沉积连接电极层薄膜并对其进行构图工艺以在所述引线区中的衬底基板上形成连接电极，保留覆盖于所述连接电极上的用以进行构图工艺的第一光刻胶层；在所述衬底基板沉积反射像素电极层薄膜并对其进行构图工艺以在所述显示区中形成反射像素电极层且在所述引线区内去除所述反射像素电极层薄膜以暴露出所述第一光刻胶层；同时去除所述反射像素电极层上用于对所述反射像素电极层薄膜进行构图的第二光刻胶层和所述引线区内的所述第一光刻胶层；其中，所述反射像素电极层与所述源漏电极层电连接，所述连接电极至少部分与所述接触垫电连接。2.根据权利要求1所述的制备方法，还包括：在所述显示区中的衬底基板上形成栅电极层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述栅电极层和所述接触垫为同层形成。4.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，还包括：在所述衬底基板上在所述源漏电极层上形成钝化层，然后对所述钝化层进行构图，以在所述显示区内于所述钝化层中形成第一过孔，其中，所述源漏电极层与所述反射像素电极层通过所述第一过孔电连接，在所述引线区中在所述钝化层中形成第二过孔，所述连接电极与所述接触垫通过所述第二过孔电连接。5.根据权利要求4所述的制备方法，还包括：在所述显示区内于所述栅电极层上形成源漏电极层时，在所述引线区内形成信号线；在所述引线区内于所述钝化层中形成第三过孔，所述连接电极通过所述第三过孔与所述信号线电连接。6.根据权利要求4所述的制备方法，还包括：在所述栅电极层和所述接触垫之上形成栅绝缘层，所述源漏电极层形成在所述栅绝缘层之上；在所述钝化中形成所述第二过孔时，还在所述栅绝缘层中形成暴露所述接触垫的第四过孔。7.根据权利要求4所述的制备方法，还包括：在所述栅绝缘层上形成有源层，然后在所述有源层上形成所述源漏电极层。8.一种阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区和位于所述显示区外围的引线区；依次设置于所述显示区的衬底基板上的源漏电极层和反射像素电极层；依次设置于所述引线区的衬底基板上的接触垫和连接电极；其中，所述反射像素电极层与所述源漏电极层电连接，所述连接电极至少部分与所述接触垫电连接，且所述反射像素电极层和所述连接电极由不同的薄膜形成。2CN108346622A权利要求书2/2页9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述连接电极的材料包括透明导电材料。10.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述显示区的衬底基板上还设置有栅电极层。11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述栅电极层与所述接触垫同层设置。12.根据权利要求8-11任一所述的阵列基板，还包括设置于所述衬底基板上的钝化层，其中，所述钝化层位于所述显示区的部分位于所述反射像素电极层和所述源漏电极层之间，所述钝化层位于所述引线区的部分位于所述连接电极和所述接触垫之间。13.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述显示区中的所述钝化层中设置有第一过孔，所述源漏电极层与所述反射像素电极层通过所述第一过孔电连接，所述引线区中的所述钝化层中设置有第二过孔，所述连接电极形成于所述钝化层之上，并