显示面板、阵列基板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110491888A(43)申请公布日2019.11.22(21)申请号201910816569.8(22)申请日2019.08.30(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司(72)发明人黄超王振熊黎李发业任志明晏熙张俊刘杰(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438代理人王辉阚梓瑄(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L51/52(2006.01)G02F1/1333(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图6页(54)发明名称显示面板、阵列基板及其制备方法(57)摘要本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，属于显示技术领域。阵列基板的制备方法包括：形成阳极层；在阳极层上形成像素定义层和支撑层，像素定义层和支撑层具有开口区，阳极层暴露于开口区；采用准分子紫外光照射暴露于开口区的阳极层表面，以去除阳极层表面残留物。该方法能够有效去除阳极层表面残留的有机物，且不损伤阳极层表面，还能够最大限度降低增加一道工序对产能的影响。CN110491888ACN110491888A权利要求书1/1页1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：形成阳极层；在所述阳极层上形成像素定义层和支撑层，所述像素定义层和支撑层具有开口区，所述阳极层暴露于所述开口区；采用准分子紫外光照射暴露于所述开口区的阳极层表面，以去除所述阳极层表面的残留物。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述准分子紫外光波长为172nm。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述准分子紫外光的光源为氙气准分子紫外光源。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述准分子紫外光的照度为200～350mW/cm2。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述准分子紫外光的光源到所述阳极层表面的距离为1～10cm。6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述准分子紫外光的照射时间为10～30s。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述准分子紫外光的照射时间为20s。8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：用水清洗照射后的所述阳极层表面。9.一种阵列基板，其特征在于，通过权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备得到。10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。2CN110491888A说明书1/5页显示面板、阵列基板及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及其制备方法，还涉及包括该阵列基板的显示面板。背景技术[0002]阵列基板上排布的薄膜晶体管作为显示器像素的开关，每个开关控制各自像素区域的电流大小，像素材料蒸镀在阵列基板工艺中形成的阳极层上，通过调节电流大小来调整显示的颜色和亮度。阵列工艺形成的精密器件，工作电流在10-5A左右，为获取较好的显示效果，需严格控制电流大小，防止电流变化影响显示效果。[0003]阵列基板制备工艺中，在形成像素定义层和支撑层后，有源区及阴阳极搭接区均存在较严重的有机物残留，残留物会影响像素蒸镀材料和阳极的接触电阻，改变工作电流，影响显示效果。[0004]目前多采用等离子体技术去除阳极层表面的残留物，但该方式清洁不彻底，且容易影响阳极层表面材料，另外也会因为增加的工艺降低产能。发明内容[0005]本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法，还提供包括该阵列基板的显示面板，解决现有阵列基板阳极层表面残留的问题。[0006]根据本申请的一个方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：[0007]形成阳极层；[0008]在所述阳极层上形成像素定义层和支撑层，所述像素定义层和支撑层具有开口区，所述阳极层暴露于所述开口区；[0009]采用准分子紫外光照射暴露于所述开口区的阳极层表面，以去除所述阳极层表面的残留物。[0010]在本申请的一种示例性实施例中，所述准分子紫外光波长为172nm。[0011]在本申请的一种示例性实施例中，所述准分子紫外光的光源为氙气准分子紫外光源。[0012]在本申请的一种示例性实施例中，所述准分子紫外光的光源到所述阳极层表面的距离为1～10cm。。[0013]在本申请的一种示例性实施例中，所述准分子紫外光的照度为200～350mW/cm2。[0014]在本申请的一种示例性实施例中，所述准分子紫外光的照射时间为10～30s。[0015]在本申请的一种示例性实施例中，所述准分子紫外光的照射时间为20s。[0016]在