阵列基板及其制备方法、显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114156285A(43)申请公布日2022.03.08(21)申请号202111445690.8G09F9/35(2006.01)(22)申请日2021.11.30(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人沈海燕黄灿鲜于文旭张春鹏(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人杨瑞(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/84(2006.01)G09F9/33(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图13页(54)发明名称阵列基板及其制备方法、显示面板(57)摘要本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括电极层、栅极绝缘层以及有源层，电极层包括层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，有源层的第一端与第一金属层电性连接，有源层的第二端与第三金属层电性连接，在第一金属层至第三金属层的方向上，第二金属层包括至少两个层叠设置的金属子层，相邻两个金属子层绝缘设置；本发明通过将构成电极层的第一金属层、第二金属层以及第三金属层层叠设置，并且将有源层的沟道设置在电极层的侧壁上，将第二金属层分为多个层叠设置的金属子层，可以通过对金属子层的厚度及数量进行调控，从而可以调控有源层的沟道的宽长比，达到灵活调节薄膜晶体管特性的目的。CN114156285ACN114156285A权利要求书1/2页1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底层以及位于所述衬底层之上的至少一薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管包括：电极层，包括层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，所述第二金属层分别与所述第一金属层和所述第三金属层绝缘设置；栅极绝缘层，设置于所述电极层的侧壁上；有源层，设置于所述栅极绝缘层背离所述电极层的表面上，所述有源层的第一端与所述第一金属层电性连接，所述有源层的第二端与所述第三金属层电性连接；其中，在所述第一金属层至所述第三金属层的方向上，所述第二金属层包括至少两个层叠设置的金属子层，相邻两个所述金属子层绝缘设置。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括第一掺杂部、第二掺杂部以及沟道部，所述沟道部位于所述第一掺杂部和所述第二掺杂部之间；其中，所述第一掺杂部与所述第一金属层电性连接，所述第二掺杂部与所述第三金属层电性连接。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一掺杂部位于所述第一金属层面向所述第二金属层的一侧表面，所述第二掺杂部位于所述第三金属层远离所述第二金属层的一侧表面。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为金属氧化物或非晶硅。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：第一绝缘层，位于所述第二金属层与所述第一金属层之间；第二绝缘层，位于所述第二金属层与所述第三金属层之间；第三绝缘层，位于相邻的两个所述金属子层之间。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一金属层至所述第三金属层的方向上，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层的厚度大于所述第三绝缘层的厚度。7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一金属层至所述第三金属层的方向上，所述第三绝缘层的厚度与所述第一绝缘层的厚度之比为第一比值，所述第三绝缘层的厚度与所述第二绝缘层的厚度之比为第二比值，所述第一比值和/或所述第二比值大于或等于五分之一且小于或等于二分之一。8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括至少两个所述第三绝缘层，在所述第一金属层至所述第三金属层的方向上，至少两个所述第三绝缘层的厚度相等。9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述有源层至所述栅极绝缘层的方向上，所述栅极绝缘层至所述第一金属层的夹角大于或等于60度且小于或等于90度。10.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层包括第一凹槽，所述第一凹槽从所述第三金属层延伸至所述第一金属层背离所述衬底层的表面，所述栅极绝缘层位于所述第一凹槽的内壁上。11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，在所述薄膜晶体管的俯视图方向上，所述第一凹槽的形状为圆形或多边形。12.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括至少两个所述薄膜2CN114156285A权利要求书2/2页晶体管，其中，所述电极层还包括第二凹槽和至少两个分割槽；所述第二凹槽贯穿所述有源层和所述第一金属层，所述第二凹槽与所述第一凹槽相连通，所述第二凹槽在所述衬底层上的正投影落在所述第一凹槽在所述衬底层上的正投影的范围内，所述第二凹槽与所述第一凹槽组合为通槽；所述分割槽贯