阵列基板及其制备方法、显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107527923A(43)申请公布日2017.12.29(21)申请号201710713452.8G02F1/1337(2006.01)(22)申请日2017.08.18(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人合肥鑫晟光电科技有限公司(72)发明人司秀丽芮洲江鹏杨海鹏戴珂(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262代理人张京波曲鹏(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)G02F1/1368(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图4页(54)发明名称阵列基板及其制备方法、显示面板(57)摘要本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括：在非显示区的标记区域形成第一标记图案，并形成覆盖非显示区的第一绝缘层；在非显示区形成半导体图案，半导体图案用于减少标记区域与相邻区域之间的段差；形成覆盖非显示区的第二绝缘层，通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。通过在非显示区形成半导体图案，并刻蚀标记区域的第二绝缘层，减小了标记区域与相邻区域之间的段差，改善了段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤，提升了摩擦配向良率。本发明实施例还提出了一种采用上述制备方法制备而成的阵列基板，同时还提出了一种包括该阵列基板的显示面板。CN107527923ACN107527923A权利要求书1/1页1.一种阵列基板的制备方法，阵列基板包括显示区和非显示区，其特征在于，包括：在非显示区的标记区域形成第一标记图案，并形成覆盖非显示区的第一绝缘层；在非显示区形成用于减少标记区域与相邻区域之间的段差的半导体图案；形成覆盖非显示区的第二绝缘层，通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一标记图案与位于显示区的薄膜晶体管的栅电极同层设置，并通过一次构图工艺形成。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体图案与位于显示区的薄膜晶体管的有源层同层设置，并通过一次构图工艺形成。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述半导体图案包括在非显示区的标记区域形成的第一半导体图案。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，包括：通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，或完全去除标记区域的第二绝缘层，暴露出标记区域的第一半导体图案。6.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述半导体图案包括在标记区域之外的非显示区形成的第二半导体图案。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括，在标记区域形成第二标记图案，所述第二标记图案与位于显示区的薄膜晶体管的源漏电极同层设置，并通过一次构图工艺形成。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层包括：通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，或完全去除标记区域的第二绝缘层，暴露出标记区域的第二标记图案。9.一种阵列基板，其特征在于，采用权利要求1-8中任意一项所述的制备方法制备。10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。2CN107527923A说明书1/8页阵列基板及其制备方法、显示面板技术领域[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。背景技术[0002]液晶显示面板(liquidcrystaldisplays,LCDs)包括阵列基板、彩膜基板和其间的液晶层。在阵列基板和彩膜基板上分别涂布配向膜，对配向膜进行配向处理后，将阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶面板。现有的配向技术有非摩擦(Non-Rubbing)型和摩擦(Rubbing)型两大类。非摩擦型配向技术包括光配向和离子束配向等。虽然光配向和离子束配向技术具有较好的配向效果，但生产效率低、成本高，较少在LCD领域中应用。摩擦型配向是在配向膜表面用绒布滚轮进行接触式的定向机械摩擦，摩擦配向膜表面所提供的能量使配向膜的分子链因延伸而定向排列，从而控制液晶配向排列。摩擦型配向因其摩擦时间短，量产性高而广泛应用。[0003]LCD面板制程中，存在一些位于摩擦方向上的标记区域，当位于摩擦方向上的标记区域与相邻区域的段差超过阈值时，在进行摩擦配向时，会因绒布表面毛细纤维的压入力度、与配向膜的接触强度发生变化，损伤摩擦辊轮的绒布纤维。绒布纤维损伤后，导致摩擦辊轮对显示区进行摩擦配向时出现摩擦不良，引起液晶偏转紊