阵列基板及其制备方法、显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863359A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211678661.0(22)申请日2022.12.26(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人刘学敏(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师孟霞(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)G02F1/1362(2006.01)G02F1/1368(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图1页(54)发明名称阵列基板及其制备方法、显示面板(57)摘要本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板包括：衬底基板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区；薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，且所述薄膜晶体管位于所述显示区内；钝化层，设置于所述薄膜晶体管和所述衬底基板上；其中，所述钝化层包括位于所述显示区的第一钝化层和位于所述非显示区的第二钝化层，所述第一钝化层与所述第二钝化层同层设置，且所述第一钝化层的光穿透率高于所述第二钝化层的光穿透率。本申请提供的阵列基板结构能够提升阵列基板的穿透率，且不会影响到显示面板的信赖性。CN115863359ACN115863359A权利要求书1/1页1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区；薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，且所述薄膜晶体管位于所述显示区内；钝化层，设置于所述薄膜晶体管和所述衬底基板上；其中，所述钝化层包括位于所述显示区的第一钝化层和位于所述非显示区的第二钝化层，所述第一钝化层与所述第二钝化层同层设置，且所述第一钝化层的光穿透率高于所述第二钝化层的光穿透率。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的材料为氧化硅。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二钝化层的材料为氮化硅。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：有源层、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极；其中，所述有源层设置于所述衬底基板上，所述栅极绝缘层设置于所述有源层上，所述栅极设置于所述栅极绝缘层上，所述源极和所述漏极设置于所述栅极上，所述钝化层设置于所述源极和所述漏极上。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极及漏极；其中，所述栅极设置于所述衬底基板上，所述栅极绝缘层设置于所述栅极上，所述有源层设置于所述栅极绝缘层上，所述源极和所述漏极设置于所述有源层上，所述钝化层设置于所述源极和所述漏极上。6.如权利要求4‑5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层设置于所述钝化层靠近所述源极和所述漏极的一侧，所述第二电极层设置于所述钝化层远离所述源极和所述漏极的一侧。7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述显示区内；在所述薄膜晶体管和所述衬底基板上形成第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述显示区内；在所述衬底基板上形成第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述非显示区内，且所述第二钝化层与所述第一钝化层同层设置；其中，所述第一钝化层的光穿透率高于所述第二钝化层的光穿透率。8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的材料为氧化硅。9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层的材料为氮化硅。10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1‑6任一项所述的阵列基板。2CN115863359A说明书1/7页阵列基板及其制备方法、显示面板技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。背景技术[0002]显示屏的穿透率是显示屏光学性能衡量的重要指标。阵列基板是显示屏的重要组成部分，由于阵列基板上需要制作像素开关和驱动电路，因此阵列基板的穿透率将影响到显示屏的整体穿透率，从而影响到液晶显示屏整体的光学利用效果及背光选型成本。为提升阵列基板的穿透率，近年来业内进行了很多膜层架构的相关研究。例如，对膜层材料进行改进，但一些膜层材料的改变虽然提升了阵列基板的穿透率，但却导致了信赖性方面的问题。发明内容[0003]有鉴于此，本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，能够提升阵列基板的穿透率，且不会影响到阵列基板的信赖性。[0004]第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：[0005]衬底基板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的