一种LED芯片及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108470802A(43)申请公布日2018.08.31(21)申请号201810276838.1(22)申请日2018.03.30(71)申请人映瑞光电科技（上海）有限公司地址201306上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号(72)发明人朱秀山(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/48(2010.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种LED芯片及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括N电极，所述N电极包括相互连接的N电极主体部分和N电极延伸部分，且在所述N电极延伸部分对应区域的LED外延结构中至少设置有两个开口，所述开口依次贯穿所述P型外延层和量子阱层，直至暴露出N型外延层，所述N电极延伸部分覆盖暴露的N型外延层以及覆盖形成于所述开口的侧壁和保留的P型外延层的表面的绝缘层。则本发明的所述N电极延伸部分的下方保留了区域性的外延层，相当于增大了LED芯片的发光面积，从而能够增加LED芯片的发光亮度。CN108470802ACN108470802A权利要求书1/1页1.一种LED芯片，其特征在于，包括：LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底、依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层、P型外延层；位于所述N型外延层上的N电极，所述N电极包括相互连接的N电极主体部分和N电极延伸部分，其中，在所述N电极延伸部分对应区域的LED外延结构中至少设置有两个开口，所述开口依次贯穿所述P型外延层和量子阱层，直至暴露出N型外延层，所述N电极延伸部分覆盖暴露的N型外延层以及覆盖形成于所述开口的侧壁和保留的P型外延层的表面的绝缘层。2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述开口的横截面的形状为方形或圆形。3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述开口为等间距设置。4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述开口的间距范围为10μm～50μm。5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层。6.如权利要求1至5任意一项所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括位于所述P型外延层上的P电极。7.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底；依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；刻蚀预设定N电极区域的LED外延结构，所述预设定N电极区域分为第一区域和与所述第一区域相连通的第二区域，所述第一区域为预设定N电极主体部分的区域，所述第二区域为预设定N电极延伸部分的区域，其中，在所述第二区域的LED外延结构中形成至少两个开口，所述开口依次贯穿所述P型外延层和量子阱层，直至暴露出N型外延层；形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述开口的侧壁和所述第二区域中保留的P型外延层的表面；形成N电极，所述N电极包括相互连接的N电极主体部分和N电极延伸部分，其中，所述N电极延伸部分覆盖所述暴露出的N型外延层和所述绝缘层。8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述开口的横截面的形状为方形或圆形。9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述开口为等间距设置。10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述开口的间距范围为10μm～50μm。11.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层。12.如权利要求7至11任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述P型外延层上形成P电极。2CN108470802A说明书1/5页一种LED芯片及其制备方法技术领域[0001]本发明属于半导体发光领域，特别是涉及一种LED芯片及其制备方法。背景技术[0002]随着发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)技术的不断发展，LED芯片被广泛应用于通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明等领域，于是，对LED芯片的低电压和高亮度的需求也越来越高。在正装结构的LED芯片中，因P电极和N电极位于LED芯片的同一侧，则其电流的扩散并不理想，会出现芯片电压偏高的现象。因此，目前在正装结构的LED芯片中常采用将电极(特别是N电极)主体部分向外延伸以形成延伸部分(Finger)的方式来扩散电极在LED芯片表面的分布，虽然，采用Finger的方式能够解决部分电流扩散的问题，但是随着LED芯片电压降低的同时，芯片亮度也会随之下降，因为Finger的制备需要将其对应区域的有源层(P型外延层和量子阱层)全部刻蚀掉，相应的减少了LED芯片的发光面积，从而导致LED芯片的亮度下降。[0003]因此，