一种LED芯片及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115440865A(43)申请公布日2022.12.06(21)申请号202211017967.1(22)申请日2022.08.24(71)申请人福建兆元光电有限公司地址350109福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区(72)发明人洪加添陈威何勇(74)专利代理机构福州市博深专利事务所(普通合伙)35214专利代理师董晗(51)Int.Cl.H01L33/44(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称一种LED芯片及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，在N型半导体层远离衬底的一面沉积绝缘层，且绝缘层围绕量子阱层、P型半导体层以及N电极设置，因此在PN分界处优先覆盖绝缘材料，能够在Mesa刻蚀之后ITO层溅射之前生成绝缘层，减少PN分界处因ITO导电物质产生的微漏电；并且通过设置绝缘层，相较于现有技术能够提高ITO层的面积，增加发光效率并提高芯片亮度，同时在应用端也能充分避免PN分界处的其他导电杂质驻留。CN115440865ACN115440865A权利要求书1/2页1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、ITO层、绝缘层以及电极；所述衬底的一面设置有所述N型半导体层，所述N型半导体层远离所述衬底的一面的第一预设区域依次层叠有所述量子阱层、所述P型半导体层；所述电极包括N电极和P电极，所述P型半导体层上方依次设置有ITO层和P电极；所述N型半导体层远离所述衬底的一面的第二预设区域设置有所述N电极；所述N型半导体层远离所述衬底的一面设置有所述绝缘层，且所述绝缘层围绕所述量子阱层和所述P型半导体层以及所述N电极设置。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述绝缘层远离所述N型半导体层的一面与所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面齐平。3.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，还包括电流阻挡层；所述ITO层靠近所述P型半导体层的一面内嵌有所述电流阻挡层；所述电流阻挡层的位置与所述P电极相对应。4.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的厚度为5.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述电极的厚度为6.一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层和P型半导体层；刻蚀所述量子阱层和所述P型半导体层，保留第一预设区域的所述量子阱层和所述P型半导体层；在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层，所述绝缘层围绕所述第一预设区域和第二预设区域设置；在所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面溅射ITO层，并在所述ITO层远离所述P型半导体层的一面蒸镀P电极；在所述N型半导体层远离所述衬底的一面的所述第二预设区域蒸镀N电极。7.根据权利要求6所述的一种LED芯片制备方法，其特征在于，在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层之后包括：使用缓冲氧化物腐蚀所述绝缘层。8.根据权利要求6所述的一种LED芯片制备方法，其特征在于，在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层还包括：将所述绝缘层的高度沉积至与所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面齐平的位置。9.根据权利要求6所述的一种LED芯片制备方法，其特征在于，在所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面溅射ITO层包括：在所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面的预设位置生长电流阻挡层；在所述电流阻挡层和所述P型半导体层上方溅射ITO层；在所述ITO层远离所述P型半导体层的一面蒸镀P电极包括：在所述ITO层远离所述P型半导体层的一面且与所述电流阻挡层对应的位置上蒸镀P电极。2CN115440865A权利要求书2/2页10.根据权利要求6所述的一种LED芯片制备方法，其特征在于，在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层还包括：沉积厚度为的绝缘层。3CN115440865A说明书1/6页一种LED芯片及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED芯片及其制备方法。背景技术[0002]发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。在LED芯片工艺中通常用透明导电层ITO(氧化铟锡)作为电流扩层并提高发光效率。在制作ITO层时通常先用ICP(电感耦合等离子光谱发生仪)刻蚀出Mesa台阶面，露出P型半导体层，然后在上面蒸镀ITO层，并通过光刻出ITO图形，最后通过ITO蚀刻，最终在P型半导体层上形成ITO层。因为ITO的导电性，当部分ITO残留在PN分界处时，将产生漏电，而为了减少漏电需增大腐蚀量来减少ITO的面积，影响了整个发光效率且不能有效的避