一种LED芯片及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116014044A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202310302074.X(22)申请日2023.03.27(71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址330000江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号(72)发明人周志兵张星星林潇雄胡加辉金从龙(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201专利代理师何世磊(51)Int.Cl.H01L33/14(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称一种LED芯片及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括依次层叠的衬底和外延层，所述LED芯片还包括设于所述外延层上的电流阻挡层和第一电极，所述电流阻挡层为环状结构，且所述电流阻挡层的内环呈水波纹状设置，所述第一电极的一端插入所述电流阻挡层的中心部位，以使所述第一电极的侧壁与所述电流阻挡层的内环接触，所述第一电极的底部与所述外延层接触。通过本申请，不仅提升第一电极外围的承压能力，提升了推力值，有效改善了第一电极在焊线受压时会破裂、撕金的问题，还能提升LED芯片的成品率。CN116014044ACN116014044A权利要求书1/1页1.一种LED芯片，包括依次层叠的衬底和外延层，其特征在于，所述LED芯片还包括设于所述外延层上的电流阻挡层和第一电极，所述电流阻挡层为环状结构，且所述电流阻挡层的内环呈水波纹状设置，所述第一电极的一端插入所述电流阻挡层的中心部位，以使所述第一电极的侧壁与所述电流阻挡层的内环接触，所述第一电极的底部与所述外延层接触。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度处于200nm‑400nm之间。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括电流扩展层，所述电流扩展层由第一层体和第二层体构成，所述第一层体和所述第二层体组合形成一台阶，所述第一层体与所述电流阻挡层叠置，所述第二层体与所述电流阻挡层处于同一平面上。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括芯片保护层，所述芯片保护层覆盖于所述第一电极的表面。5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极的材质为Cr、Al、Ti、Pt或Au中的至少一种。6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底采用蓝宝石材料制成。7.一种LED芯片的制备方法，用于制备权利要求1至6任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述方法包括：生成预设形状以及预设厚度的电流阻挡层，具体为，通过等离子体增强化学沉积法在LED芯片的整个表面进行镀膜，再经过黄光和刻蚀以生成预设厚度的电流阻挡层；在预设厚度的所述电流阻挡层的表面进行匀胶，匀胶后使用内环为水波纹状的光照版进行曝光处理，再经过显影和刻蚀，以生成预设形状的所述电流阻挡层。8.根据权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：获取一衬底，并在所述衬底上外延生长出外延层，所述外延层包括依次叠置的N型半导体层、有源层和P型半导体层；在所述外延层上进行MSA处理，以暴露出所述N型半导体层，并形成LED芯片的外围轮廓；在所述P型半导体层上生成预设形状以及预设厚度的所述电流阻挡层；在所述电流阻挡层上依次制备电流扩展层、第一电极和芯片保护层，其中，所述第一电极的底部与所述外延层接触，且所述第一电极的侧部依次与所述电流阻挡层、所述电流扩展层接触。9.根据权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述预设厚度为200nm‑400nm，所述预设形状为环状且其内环为水波纹状设置。10.根据权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上进行MSA处理，以暴露出所述N型半导体层的步骤包括：通过ICP刻蚀技术在所述外延层进行刻蚀，以暴露出所述N型半导体层。2CN116014044A说明书1/8页一种LED芯片及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种LED芯片及其制备方法。背景技术[0002]LED具有将电转化为光的特性，使用范围非常广。其核心部件为一个半导体晶片，LED封装是将LED晶片与基板通过金线键合连接。键合工艺中，焊线不良问题在LED失效模式中占有很大比例，是LED的重要失效模式。因此在LED出货前需对其进行可靠性验证，需测试金线焊接后的参数是否达到标准。[0003]其中，对LED晶片进行推拉力的评估是LED产品性能评估重要的一环，在传统的性能评估过程中，推球后的LED晶片的电极容易脱落，由于电极外围底部材料为电流阻挡层（CBL），CBL是类似陶瓷一样的材料，电极在焊线受压时破裂，