掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109188854A(43)申请公布日2019.01.11(21)申请号201811214889.8H01L21/02(2006.01)(22)申请日2018.10.18H01L23/48(2006.01)(71)申请人合肥鑫晟光电科技有限公司地址230012安徽省合肥市新站区工业园内申请人京东方科技集团股份有限公司(72)发明人马涛余巨峰杨成绍(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人黄灿张博(51)Int.Cl.G03F1/26(2012.01)G03F1/54(2012.01)G03F1/80(2012.01)G03F7/42(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置(57)摘要本发明提供了一种掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述掩膜板包括透光区域、第一不透光区域和第一部分透光区域，所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。本发明的技术方案能够避免金属层残留的现象，提高显示基板的透过率。CN109188854ACN109188854A权利要求书1/1页1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括透光区域、第一不透光区域和第一部分透光区域，所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述过渡区包括：在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上、依次排布的第二部分透光区域和第二不透光区域。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第二不透光区域在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为1～1.2μm，所述第二部分透光区域在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为1.5～2μm。4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述第二部分透光区域的透光率与所述第一部分透光区域的透光率相等。5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一部分透光区域的透光率为30-35％，所述过渡区的透光率为20-25％，所述过渡区在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为3.5～6.5μm。6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述过渡区为移相掩模结构。7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述移相掩模结构的透光率与所述第一部分透光区域的透光率相等，所述移相掩模结构在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为4.5-5.5μm。8.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述过渡区为单缝衍射掩膜结构。9.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述单缝衍射掩膜结构包括遮光条纹和位于所述遮光条纹之间的狭缝，所述单缝衍射掩膜结构在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为4.5-5.5μm，所述狭缝在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的总宽度为2-2.3μm。10.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成第一导电层和第二导电层；在所述第二导电层上形成一层正性光刻胶，利用如权利要求1-9中任一项所述的掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的第二导电层；灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的第一导电层，形成第一导电图形；刻蚀掉所述光刻胶部分保留区域的第二导电层，形成第二导电图形；剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。11.根据权利要求10所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形为公共电极，所述第二导电图形为金属图形。12.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求10或11所述的制作方法制作得到。13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示基板。2CN109188854A说明书1/8页掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是指一种掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置。背景技术[0002]现有的显示基板中，为了提高显示品质，在公共电极上还设置有金属图形，金属图形与公共电极直接接触，能够降低公共电极的电阻，进而减少画面泛绿的情况。[0003]在制作公共电极和金属图形时，首先形成层叠设置的透明导电层和金属层，在金属层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜板对光刻胶进行曝光，显影后形