掩膜板、显示基板及其制备方法、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111505896A(43)申请公布日2020.08.07(21)申请号202010332826.3(22)申请日2020.04.24(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人绵阳京东方光电科技有限公司(72)发明人岳斌黄晓丽孟庆阳胡德莹曾振助(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人姜春咸冯建基(51)Int.Cl.G03F1/00(2012.01)H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称掩膜板、显示基板及其制备方法、显示装置(57)摘要本发明提供一种掩膜板，用于对光敏材料层进行曝光，所述光敏材料层包括待去除区域、待保留区域和连接在所述待去除区域与所述待保留区域之间的斜坡形成区域，所述掩膜板包括与所述待去除区域对应的透光区域和位于所述透光区域之外的遮光区域，其中，所述遮光区域中设置有遮光层，所述遮光层上设置有与所述斜坡形成区域对应的光衍射图形，所述光衍射图形用于在曝光时使光线衍射，以使所述光敏材料层在完成曝光和显影后，在所述斜坡形成区域形成坡度角小于或等于30°的斜坡面。本发明还提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。本发明可以使斜坡面的坡度角更佳平缓，有利于提高产品良率。CN111505896ACN111505896A权利要求书1/1页1.一种掩膜板，用于对光敏材料层进行曝光，所述光敏材料层包括待去除区域、待保留区域和连接在所述待去除区域与所述待保留区域之间的斜坡形成区域，所述掩膜板包括与所述待去除区域对应的透光区域和位于所述透光区域之外的遮光区域，其特征在于，所述遮光区域中设置有遮光层，所述遮光层上设置有与所述斜坡形成区域对应的光衍射图形，所述光衍射图形用于在曝光时使光线衍射，以使所述光敏材料层在完成曝光和显影后，在所述斜坡形成区域形成坡度角小于或等于30°的斜坡面。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光区域与显示基板的像素单元一一对应，所述光衍射图形包括至少一个狭缝，所述狭缝为环绕所述透光区域的环状结构。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述狭缝的宽度不大于所述狭缝与所述透光区域之间的间隔宽度。4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述狭缝与所述透光区域之间的间隔宽度在0.6μm至1.8μm之间，所述狭缝的宽度在0.6μm至1.8μm之间。5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光区域与显示基板的像素单元一一对应，所述光衍射图形包括多个间隔的透光图案，多个所述透光图案环绕所述透光区域设置，且与所述透光区域无间隔。6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述透光图案为矩形或三角形。7.根据权利要求1至6中任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括透明基底，所述遮光层设置在所述透明基底上。8.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成光敏材料层，所述光敏材料层包括待去除区域、待保留区域和连接在所述待去除区域与所述待保留区域之间的斜坡形成区域；利用权利要求1至7中任意一项所述的掩膜板对所述光敏材料层进行构图工艺，以使光敏材料层对应于所述待去除区域的部分被去除，对应于所述待保留区域的部分被保留，对应于所述斜坡形成区域的部分形成斜坡面，所述斜坡面的坡度角小于或等于30°。9.一种显示基板，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的光敏图形层，所述光敏图形层具有朝向所述衬底的底面、远离所述衬底的顶面和连接在所述顶面与所述底面之间的侧面，所述侧面为斜坡面，所述斜坡面的坡度角小于或等于30°。10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述斜坡面的坡度角小于20°。11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述光敏图形层为像素界定层，所述像素界定层具有多个像素开口，所述斜坡面为像素开口的侧面。12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9至11中任一项所述的显示基板。2CN111505896A说明书1/6页掩膜板、显示基板及其制备方法、显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜板、显示基板及其制备方法、显示装置。背景技术[0002]在有机电致(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示领域，对于一些膜层而言，其侧面的坡度角越小，越有利于提高产品的良率，例如，当像素界定层中用于蒸镀有机发光材料的像素开口的侧面的坡度角越小时，对有机发光材料均匀沉积越有利，从而提高像素开口中形成的发光层的均匀性。[0003]目前，可以通过调整工艺过程参数以使侧面的坡度角减小，但是，也仅能将侧面的坡度角减小至40