阵列基板和阵列基板的断线修复方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109254431A(43)申请公布日2019.01.22(21)申请号201811340259.5(22)申请日2018.11.12(71)申请人成都中电熊猫显示科技有限公司地址610200四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号(72)发明人龚洋贞(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人荣甜甜刘芳(51)Int.Cl.G02F1/13(2006.01)G02F1/1362(2006.01)G02B6/255(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图6页(54)发明名称阵列基板和阵列基板的断线修复方法(57)摘要本发明提供一种阵列基板和阵列基板的断线修复方法，该阵列基板包括：信号线层和导电层，信号线层与导电层在竖直方向上相邻设置；信号线层上设置有多个信号线；导电层包括像素区域和修复线区域，修复线区域在导电层的设置位置与多个信号线在信号线层的设置位置相同，像素区域与修复线区域隔离设置。本发明提供的阵列基板的修复线设置在导电层上，避免了现有技术中在BM区域预留修复线区域使得边框宽度变宽的问题，能够进行窄边框的设计。CN109254431ACN109254431A权利要求书1/2页1.一种阵列基板，其特征在于，包括：信号线层和导电层，所述信号线层与所述导电层在竖直方向上相邻设置；所述信号线层上设置有多个信号线；所述导电层包括像素区域和修复线区域，所述修复线区域在所述导电层的设置位置与所述多个信号线在所述信号线层的设置位置相同，所述像素区域与所述修复线区域隔离设置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线层包括第一信号线层和第二信号线层，所述第一信号线层和所述第二信号线层在竖直方向上相邻设置；所述第一信号线层包括多个第一信号线，所述第二信号线层包括多个第二信号线；所述修复线区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述导电层的设置位置与所述多个第一信号线在所述第一信号线层的设置位置相同，所述第二区域在所述导电层的设置位置与所述多个第二信号线在所述第二信号线层的设置位置相同。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线层包括第一金属层和第一绝缘层，所述第一金属层和所述第一绝缘层在竖直方向上相邻设置，所述第一绝缘层与所述第二信号线层在竖直方向上相邻设置；所述第一金属层的第一方向上设置有多个第一信号线。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号线层包括第二金属层和第二绝缘层，所述第二金属层分别与所述第二绝缘层、所述第一绝缘层在竖直方向上相邻设置；所述第二金属层的第二方向上设置有多个第二信号线。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线为栅极信号线，所述第二信号线为源极信号线。7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层与所述导电层在竖直方向上相邻设置。8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为铟锡氧化物导电层。9.一种阵列基板的断线修复方法，其特征在于，包括：获取面板中的阵列基板的断线信号线的断线位置，所述阵列基板包括：信号线层和导电层；所述信号线层中设置有多个信号线，所述信号线层与所述导电层在竖直方向上相邻设置；所述导电层包括像素区域和修复线区域，所述修复线区域在所述导电层的设置位置与所述多个信号线在所述信号线层的设置位置相同，所述像素区域与所述修复线区域隔离设置；在所述断线位置的两侧的所述断线信号线上分别选取一个熔接点；在所述熔接点对所述断线信号线进行熔接，使得所述熔接点处的断线信号线与所述修复线区域连接。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述信号线层包括金属层和绝缘层，所述金属层中设置有多个所述信号线，所述绝缘层与所述导电层在竖直方向上相邻设置；2CN109254431A权利要求书2/2页在所述熔接点对所述断线信号线进行熔接，使得所述熔接点处的断线信号线与所述修复线区域连接，包括：控制激光熔接器在熔接点对所述断线信号线进行熔接，控制所述激光熔接器的激光强度大于所述绝缘层的穿透强度，使得熔接点处的断线信号线穿透所述绝缘层，与所述修复线区域连接。3CN109254431A说明书1/10页阵列基板和阵列基板的断线修复方法技术领域[0001]本发明涉及液晶显示器制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板和阵列基板的断线修复方法。背景技术[0002]薄膜晶体管液晶显示(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，TFT-LCD)在制造过程中，为提高产品的良率和品质，且降低成本