基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109661718A(43)申请公布日2019.04.19(21)申请号201780053446.2(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司720(22)申请日2017.09.0403代理人宋晓宝向勇(30)优先权数据2016-1870982016.09.26JP(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2019.02.28(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2017/0317962017.09.04(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/056038JA2018.03.29(71)申请人株式会社斯库林集团地址日本京都府(72)发明人樋口鲇美小森香奈权利要求书2页说明书20页附图14页(54)发明名称基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置(57)摘要提供一种基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板。该方法包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。所述氧化膜亦可为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜。在此情况下，所述部分蚀刻步骤亦可为使所述颗粒自所述自然氧化膜露出、或使自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步骤。此外，所述物理清洗亦可为一边使所述自然氧化膜残留于所述基板的表面一边通过物理的作用去除自所述自然氧化膜露出的颗粒的步骤。CN109661718ACN109661718A权利要求书1/2页1.一种基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板，其中，包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。2.如权利要求1所述的基板清洗方法，其中，所述氧化膜为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜；所述部分蚀刻步骤为使所述颗粒自所述自然氧化膜露出、或使所述颗粒自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步骤；所述物理清洗为一边使所述自然氧化膜残留于所述基板的表面一边通过物理的作用去除自所述自然氧化膜露出的颗粒的步骤。3.如权利要求1或2所述的基板清洗方法，其中，所述部分蚀刻步骤包含对所述基板的表面供给稀释氢氟酸的步骤。4.如权利要求3所述的基板清洗方法，其中，所述稀释氢氟酸为0.1％至0.5％的浓度的氢氟酸。5.如权利要求1至4中任一项所述的基板清洗方法，其中，所述物理清洗步骤包含双流体清洗步骤、超声波清洗步骤、喷墨式液滴清洗步骤及固化溶解清洗步骤中的至少一个；在所述双流体清洗步骤中，对所述氧化膜的表面供给混合气体和液体而成的混合流体；在所述超声波清洗步骤中，对所述氧化膜的表面供给已赋予超声波的液体；在所述喷墨式液滴清洗步骤中，自喷墨头对所述氧化膜的表面供给液滴；在所述固化溶解清洗步骤中，在所述氧化膜的表面形成液膜之后对该液膜进行固化以形成凝固体膜，溶解所述凝固体膜并予以去除。6.一种基板清洗规程作成方法，为了在基板处理装置执行基板清洗处理而作成应登录于所述基板处理装置的规程数据，所述基板清洗处理用以清洗在表面具有氧化膜的基板；其中，所述基板清洗处理包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗；所述基板清洗规程作成方法包含：部分蚀刻工序作成步骤，作成用以执行所述部分蚀刻步骤的工序数据；物理清洗工序作成步骤，作成用以执行所述物理清洗步骤的工序数据；以及条件匹配步骤，基于已预先准备的匹配基准数据来使所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件和所述物理清洗步骤中的物理清洗条件匹配。7.如权利要求6所述的基板清洗规程作成方法，其中，所述部分蚀刻工序作成步骤包含作成包含所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件的工序数据的步骤；所述条件匹配步骤包含基于所述匹配基准数据来提示或设定匹配于蚀刻条件的物理清洗条件的步骤，所述蚀刻条件包含于在所述部分蚀刻工序作成步骤中所作成的工序数据中。2CN109661718A权利要求书2/2页8.如权利要求6或7所述的基板清洗规程作成方法，其中，所述物理清洗工序作成步骤包含作成包含所述物理清洗步骤中的物理清洗条件的工序数据的步骤；所述条件匹配步骤包含基于所述匹配基准数据来提示或设定匹配于物理清洗条件的蚀刻条件的步骤，所述物理清洗条件包含于在所述物理清洗工序作成步骤中所作成的工序数据中。9.一种基板清洗规程作成装置，为了在基板处理装置执行基板清洗处理而作成应登录于所述基板处理装置的规程数据，所述基板清洗处理用以清洗在表面具有氧化膜的基板；所述基板清洗处理包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行