基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法.pdf
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基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法.pdf
本发明涉及一种基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法,在基板清洗装置,在使研磨头与利用旋转夹具旋转的基板的一面接触的状态下,使该研磨头至少在基板的中心和外周部之间移动。由此,基板的一面被研磨头研磨,从而去除存在于基板的一面上的污染。此时,根据基板的半径方向上的位置,使利用研磨头去除污染的去除能力发生变化。去除污染的去除能力是指,通过研磨擦掉附着于基板的一面的污染物、残留于基板的一面的吸附痕和接触痕等的能力。例如能够通过调整从研磨头作用于基板的一面的按压力,使去除污染的去除能力发生变化。
基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法.pdf
本发明公开基板清洗装置。在一实施方式中,基板清洗装置具备:第一轴群,该第一轴群包含第一驱动轴和惰轮轴,该第一驱动轴具有使基板旋转的第一驱动辊,该惰轮轴具有通过基板而旋转的从动辊;第二轴群,该第二轴群包含多个第二驱动轴,该多个第二驱动轴分别具有使基板旋转的第二驱动辊;清洗机构,该清洗机构对通过第一驱动辊及多个第二驱动辊而旋转的基板进行清洗;以及旋转检测部,该旋转检测部对从动辊的转速进行检测,从动辊位于与基板通过清洗机构而受到力的方向相反的一侧。
基板处理装置的清洗方法和基板处理装置.pdf
本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置,能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀,且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序,清洗所述排气管的工序包括如下工序:在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下,向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体,由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物;以及在打开所述开闭阀的状态下,向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清
基板处理装置和基板处理装置的基板检测方法.pdf
本发明提供一种可靠地检测有无被基板处理装置处理的基板的基板处理装置和基板处理装置的基板检测方法。液处理装置(1)包括:基板保持旋转部(23),其具有旋转板(23P)和基板支持部(51);以及液体供给部(24)。旋转板(23P)与旋转轴(23S)相连结,旋转轴(23S)的中央部经由旋转板(23P)的开口(29)向外方暴露。在该旋转轴(23S)的中央部安装有环状的回归反射片(30)。自斜上方向回归反射片(30)照射激光,利用激光投射接收部(26a)接收来自回归反射片(30)的反射光,并利用基板检测部(17a)
基板处理装置及基板处理方法.pdf
使具有异形部分的未被预对准的基板的定位精度提升。基板处理装置包含:平台,用于支承基板;垫保持架,用于保持研磨垫,研磨垫用于研磨被支承在平台的基板;升降机构,用于使垫保持架相对于基板升降;及至少3个定心机构400A、400B、400C,用于向平台的中心方向按压被支承在平台的基板以进行对位,至少3个定心机构400A、400B、400C分别包含:被配置在平台的周围的旋转轴430、及被安装在旋转轴430的定心构件440,定心构件440包含:旋转轴430向第1方向旋转时与基板WF接触的第1接触部440a、及旋转轴4