晶圆表面清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109686683A(43)申请公布日2019.04.26(21)申请号201811542717.3(22)申请日2018.12.17(71)申请人德淮半导体有限公司地址223302江苏省淮安市淮阴区长江东路599号(72)发明人崔亚东陈章晏刘家桦叶日铨(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人吴敏(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称晶圆表面清洗方法(57)摘要本发明提供晶圆表面清洗方法，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆表面具有刻蚀残留；对所述晶圆表面进行清洗工艺；在晶圆清洗后的晶圆表面形成液膜。本发明可以避免干燥后在晶圆表面留下液痕或者颗粒，从而保证晶圆表面的清洁度。CN109686683ACN109686683A权利要求书1/1页1.一种晶圆表面清洗方法，其特征在于，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆表面具有刻蚀残留；对所述晶圆表面进行清洗工艺；在晶圆清洗后的晶圆表面形成液膜。2.如权利要求1所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述清洗工艺为至少一次清洗。3.如权利要求1所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述清洗工艺中，所述晶圆的转速为1000-2000rpm，所述清洗液的流量为1.0-1.5L/min。4.如权利要求3所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述清洗液为含有二氧化碳的去离子水。5.如权利要求3所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述清洗工艺中，清洗时间为20-40秒。6.如权利要求1所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述形成液膜中，所述晶圆的转速为300-800rpm，所述液体的流量为2.0-3.0L/min。7.如权利要求6所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，形成液膜采用的液体是含有二氧化碳的去离子水。8.如权利要求6所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述形成液膜的时间为20-40秒。9.如权利要求1所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述残留为所述晶圆经过稀氢氟酸刻蚀后而留下的残留。10.如权利要求1所述的晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述晶圆表面呈疏水性。2CN109686683A说明书1/4页晶圆表面清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆表面清洗方法。背景技术[0002]在半导体工艺中，于晶圆上加工制作各种电路元件结构，而使晶圆成为有特定电性功能之IC产品。对于计算机产品而言，晶圆的品质影响着整个计算机的性能。[0003]目前，在半导体产品制造过程中，晶圆是当前集成电路的基础半成品，晶圆加工处理的好坏直接影响半导体成品的质量。在晶圆加工过程中，需要对晶圆进行光刻、离子注入、机械研磨，这些加工过程中，晶圆表面很容易受到污染，那就必须对晶圆表面进行清洗和干燥。[0004]如何避免干燥后在晶圆表面留下液痕或者颗粒，以保证晶圆表面的清洁度，这是目前急需解决的问题。发明内容[0005]本发明解决的问题是提供一种晶圆表面清洗方法，避免干燥后在晶圆表面留下液痕或者颗粒，以保证晶圆表面的清洁度。[0006]为解决上述问题，本发明提供晶圆表面清洗方法，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆表面具有刻蚀残留；对所述晶圆表面进行清洗工艺；在晶圆清洗后的晶圆表面形成液膜。[0007]可选的，所述清洗工艺为至少一次清洗。[0008]可选的，所述清洗工艺中，所述晶圆的转速为1000-2000rpm，所述清洗液的流量为1.0-1.5L/min。[0009]可选的，所述清洗液为含有二氧化碳的去离子水。[0010]可选的，所述清洗工艺中，清洗时间为20-40秒。[0011]可选的，所述形成液膜中，所述晶圆的转速为300-800rpm，所述液体的流量为2.0-3.0L/min。[0012]可选的，形成液膜采用的液体是含有二氧化碳的去离子水。[0013]可选的，所述形成液膜的时间为20-40秒。[0014]可选的，所述残留为所述晶圆经过稀氢氟酸刻蚀后而留下的残留。[0015]可选的，所述晶圆表面呈疏水性。[0016]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：[0017]本发明技术方案中，在晶圆清洗后的晶圆表面形成液膜。利用清洗工艺将晶圆表面的残留去除，残留溶解在清洗液中，晶圆转动提供去除残留的离心力，在离心力的作用下清洗液携带残留一起从晶圆的表面甩出，达到清洗晶圆的目的。再于晶圆表面形成液膜，利用液膜将经过刻蚀的晶圆表面与外界的空气隔绝，避免空气中的杂质与晶圆表面的接触，保护晶圆表面不与外界空气中的杂质发生反应，保证了晶圆表面的洁净度，并在后续晶圆干燥之后，不会在晶圆表面留下液痕或者颗粒。3CN10968668