晶圆清洗装置及晶圆清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108649006A(43)申请公布日2018.10.12(21)申请号201810565440.X(22)申请日2018.06.04(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司(72)发明人马玲韦亚一徐步青董立松(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人韩建伟谢湘宁(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称晶圆清洗装置及晶圆清洗方法(57)摘要本发明提供了一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。该装置用于对基台吸附的晶圆进行清洗，基台具有承载晶圆的第一表面，该晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴，去离子水喷嘴设置于基台的第一表面上方，各去离子水喷嘴的喷射方向不同，且各去离子水喷嘴的喷射方向与第一表面之间具有夹角θ，0°＜θ＜90°。通过使去离子水喷嘴的喷射方向倾斜于晶圆表面，还能够减缓去离子水对晶片上残留物缺陷的压力，使中间的缺陷不易形成，并且还能够增加对缺陷的水平推力，减少中间已有的缺陷，进而大大提升了工艺良率；另一方面，相比于现有技术中垂直于晶圆的喷嘴，采用上述晶圆清洗装置不需要较长的清洗时间，从而缩短了显影工艺的周期。CN108649006ACN108649006A权利要求书1/1页1.一种晶圆清洗装置，用于对基台(10)吸附的晶圆(20)进行清洗，所述基台(10)具有承载所述晶圆(20)的第一表面，其特征在于，所述晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴(30)，所述去离子水喷嘴(30)设置于所述基台(10)的第一表面上方，各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向不同，且各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向与所述第一表面之间具有夹角θ，0°＜θ＜90°。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述去离子水喷嘴(30)为两个，一个所述去离子水喷嘴(30)具有第一出水口，另一个所述去离子水喷嘴(30)具有第二出水口，所述第一出水口和所述第二出水口均靠近所述第一表面，所述基台(10)具有相对的第一侧和第二侧，所述第一出水口位于所述第一侧，所述第一出水口的喷射方向朝向所述第二侧，所述第二出水口位于所述第二侧，所述第二出水口的喷射方向朝向所述第一侧，且所述第一喷射方向与所述第二喷射方向在所述第一表面所在平面上的投影平行。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一出水口的外侧与所述第二出水口的外侧相互抵接。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一出水口沿喷嘴的径向截面为矩形，所述第二出水口沿喷嘴的径向截面为矩形，且所述第一出水口的至少一个边和所述第二出水口的至少一个边之间相互平行。5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一出水口沿喷嘴的径向截面与所述第二出水口沿喷嘴的径向截面具有相同的形状和面积。6.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，各所述去离子水喷嘴(30)包括连接的第一管件(310)和第二管件(320)，所述第一出水口和所述第二出水口分别一一对应地位于所述第一管件(310)上，垂直于所述第一管件(310)的延伸方向的任意截面为矩形，垂直于所述第二管件(320)的延伸方向的任意截面为圆形。7.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：将晶圆(20)吸附于基台(10)的第一表面上；利用所述基台(10)带动所述晶圆(20)转动，并将多组去离子水喷射于所述晶圆(20)的表面，各组所述去离子水的喷射方向不同，且各组所述去离子水的喷射方向与所述第一表面之间具有夹角θ，0°＜θ＜90°。8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，采用权利要求1至6中任一项所述的晶圆清洗装置将所述去离子水喷射于所述第一表面。2CN108649006A说明书1/6页晶圆清洗装置及晶圆清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体工艺技术领域，具体而言，涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。背景技术[0002]传统的晶圆清洗装置如图1所示，基台10＇将晶圆20＇吸附于表面，去离子水通过去离子水喷嘴30＇垂直喷射于晶圆表面，当去离子水垂直喷在晶圆中间时，晶圆中间受到去离子水的压力F，在晶圆中间容易形成缺陷，并且随着喷速的增加中间的缺陷数量增加。[0003]由喷口到晶片表面，重力势能(Ep＝mgh)转化为动能[0004]从而推导出假定去离子水的在喷口的初速度为v0，去离子水到达晶片表面的总速度：[0005][0006]流体力学中的驻点方程—伯努利方程：[0007]其中，P为流体中某点的压强，v为流体该点的流速，ρ为流体密度，g为重力加速度，h为该点所在的高度，C是一个常量；