一种晶圆表面清洗的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113964066A(43)申请公布日2022.01.21(21)申请号202111413082.9(22)申请日2021.11.25(71)申请人滁州钰顺企业管理咨询合伙企业（有限合伙）地址239200安徽省滁州市来安县经济开发区中央大道38号(72)发明人叶顺闵林伯璋蔡孟霖蘇政宏(74)专利代理机构北京七夏专利代理事务所(普通合伙)11632代理人刘毓珍(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/673(2006.01)H01L21/02(2006.01)B08B3/08(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种晶圆表面清洗的方法(57)摘要本发明属于半导体制作技术领域，具体涉及一种晶圆表面清洗的方法包括以下步骤：提供晶圆且该晶圆正面贴附保护胶，将该晶圆放入适用尺寸之晶舟盒内，接着将该晶舟盒放置入清洗机构，藉由清洗机构中清洗区内的顶出部，使晶舟盒能依预设角度放置于清洗区内且让晶圆能完全被清洗液完整清洗洁净；本发明可完整有效的达到晶圆清洗成果，亦可有效避免水流痕与研磨污染物残留晶圆表面之异常,大大提升蒸镀制程的良率,缩短出货工时。CN113964066ACN113964066A权利要求书1/1页1.一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，包含如下步骤：提供晶圆且该晶圆正面贴附保护胶，将该晶圆放入适用尺寸之晶舟盒内，接着将该晶舟盒放置入清洗机构，藉由清洗机构中清洗区内的顶出部，使晶舟盒能依预设角度放置于清洗区内且让晶圆能完全被清洗液完整清洗洁净。2.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，该晶舟盒为铁氟龙晶舟盒；晶舟盒内放晶圆尺寸为4in、5in、6in、8in与12in中任意一种。3.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，晶舟盒内所置放的晶圆片数依据清洗要求不同而置放。4.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，晶舟盒内设有若干个置入槽，晶舟盒的盒体的前端侧壁和后端侧壁的顶部均设有固定件，所述的固定件之间设有手把部以便提拿。5.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，清洗机构依功分别设有抛光槽与清洗槽，所述抛光槽内所使用的清洗液为硝酸、醋酸、氢氟酸中的一种或者多种；清洗槽内所使用的清洗液为纯水；清洗槽运转的纯水阻值至少为1MΩ以上。6.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，清洗机构设有置入口可供置入晶舟盒，并设有清洗区可供放置晶舟盒，并于清洗区内设有一顶出部可供置入的晶舟盒放置，所述顶出部设有一个承载面，该承载面底部设有一个调节件可供承载面依据需求调整置入晶舟盒的倾斜角度。7.根据权利要求6所述的一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，顶出部的角度设定为使晶圆的贴胶面倚靠晶舟盒前端部的方向。8.根据权利要求6所述的一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，承载面及顶出部可依各种形状与形式设于清洗区。9.根据权利要求4所述的一种晶圆表面清洗的方法，其特征在于，晶圆放置于晶舟盒内其贴胶面面向前端；6in及其以下尺寸晶圆平边于晶舟盒内朝上摆放；8in及以上尺寸晶圆Notch于晶舟盒内朝左摆放；晶圆放置于晶舟盒内为间隔摆放；圆间隔放置且且最靠近端部的晶圆为晶圆样品。2CN113964066A说明书1/3页一种晶圆表面清洗的方法技术领域[0001]本发明属于半导体制作技术领域，具体的讲涉及一种晶圆表面清洗的方法。背景技术[0002]现今半导体技术在晶圆薄化已驱成熟，为了增进芯片在晶圆内的延展性及提升高功率芯片在运行中加速散热效果，工程人员均极尽所能研发让晶圆薄化技术达到极致。[0003]现阶段晶圆研磨后之制程需接着晶圆抛光清洗的步骤，晶圆抛光清洗后更紧接着背面金属蒸镀的重要制程，晶圆抛光清洗又可分干式与湿式两种方式，干式作业通常耗费高昂成本与高工时，而湿式作业则为多数厂家所使用，因其具有清洗液可回收重复使用与工时大幅缩短的优势，有效降低成本提高产能，晶圆历经研磨后其表面残留许多污染物，而抛光清洗该制程则需要有效率及高产能额设计才能与业界其他厂家竞争，本发明则以一种晶圆表面洗净的方法达到相同目的，不仅能洁净晶圆表面残留物，亦可提升制程良率，与提升蒸镀制程之附着力。发明内容[0004]为解决现有技术存在的问题，本发明提供一种晶圆表面清洗的方法，可有效避免晶圆表面污染物残留，降低晶圆晶背有水流痕、裂痕及清洗不完全的异常，可有效提高产能与拉升良率。[0005]本发明的技术方案是这样实现的：[0006]一种晶圆表面清洗的方法，包括如下步骤：[0007]提供晶圆，该晶圆具有集成电路的正面与背面，该晶圆正面贴附保护胶，接着将该晶圆依据制程之需求片数