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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109765750A(43)申请公布日2019.05.17(21)申请号201810410555.1G03F1/76(2012.01)(22)申请日2018.05.02(30)优先权数据62/584,5562017.11.10US15/905,5432018.02.26US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号(72)发明人田俊介江政学陈志明林政旻黄彦玮张浩铭林国钦李冠贤(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人顾伯兴(51)Int.Cl.G03F1/26(2012.01)权利要求书1页说明书10页附图14页(54)发明名称相移光掩模的制造方法(57)摘要在一种制造光掩模的方法中,在掩模坯之上形成光刻胶层,所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层及设置在所述相移层上的光阻挡层。利用光刻操作形成光刻胶图案。利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光阻挡层作为刻蚀掩模将所述相移层图案化。以刻蚀硬覆盖体覆盖所述掩模衬底的边界区,而所述掩模衬底的图案区是暴露出来的。通过所述刻蚀硬覆盖体的所述开口将所述图案区中的经图案化的所述光阻挡层图案化。对所述图案区执行光刻蚀操作以移除所述光阻挡层的残留物。CN109765750ACN109765750A权利要求书1/1页1.一种制造光掩模的方法,其特征在于,包括:在掩模坯之上形成光刻胶层,所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层及设置在所述相移层上的光阻挡层;利用光刻操作形成光刻胶图案;利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化;利用经图案化的所述光阻挡层作为刻蚀掩模将所述相移层图案化;以刻蚀硬覆盖体覆盖所述掩模衬底的边界区,其中一部分的光阻挡层存留在所述边界区上,同时通过所述刻蚀硬覆盖体的开口暴露出所述掩模衬底的图案区;通过所述刻蚀硬覆盖体的所述开口刻蚀所述图案区中的经图案化的所述光阻挡层;剥离所述刻蚀硬覆盖体;以及对所述图案区执行光刻蚀操作以移除所述光阻挡层的残留物。2CN109765750A说明书1/10页相移光掩模的制造方法技术领域[0001]本发明实施例涉及制造相移光掩模的方法。背景技术[0002]随着半导体装置特征尺寸已减小到小于在光刻工艺中使用的光的波长的尺寸,在掩模版(reticle)上形成的特征图案边缘处的光的衍射在将掩模版图案转移到晶片光刻胶时造成分辨率(resolution)的损失。为了增大光刻图案转移的分辨率,已开发出了相移掩模(phaseshiftmask),其中穿过掩模版图案的交替部分的光的波前(wavefront)的相位相对于穿过相邻部分的光被移为异相(outofphase),以产生破坏性的干扰波前,从而减少由在掩模版图案的特征边缘处的光的衍射而导致的对晶片光刻胶的不期望的曝光。因此,改善了掩模版图案的对比度且因此改善了掩模版图案的可转移分辨率(transferableresolution)。发明内容[0003]根据本公开的一方面,在一种制造光掩模的方法中,在掩模坯之上形成光刻胶层,所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层及设置在所述相移层上的光阻挡层。利用光刻操作形成光刻胶图案。利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光阻挡层作为刻蚀掩模将所述相移层图案化。以刻蚀硬覆盖体覆盖所述掩模衬底的边界区,其中一部分的光阻挡层存留在所述边界区上,同时通过所述刻蚀硬覆盖体的开口暴露出所述掩模衬底的图案区。通过所述刻蚀硬覆盖体的所述开口刻蚀所述图案区中的经图案化的所述光阻挡层。剥离所述刻蚀硬覆盖体。对所述图案区执行光刻蚀操作以移除所述光阻挡层的残留物。[0004]根据本公开的另一方面,在一种制造光掩模的方法中,在掩模坯之上形成光刻胶层,所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层、设置在所述相移层上的光阻挡层及设置在所述光阻挡层上的硬掩模层。利用光刻操作形成光刻胶图案。利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述硬掩模层图案化。利用经图案化的所述硬掩模层作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光阻挡层作为刻蚀掩模将所述相移层图案化。以刻蚀硬覆盖体覆盖所述掩模衬底的边界区,其中一部分的光阻挡层存留在所述边界区上,同时通过所述刻蚀硬覆盖体的开口暴露出所述掩模衬底的图案区。通过所述刻蚀硬覆盖体的所述开口刻蚀所述图案区中的经图案化的所述光阻挡层。剥离所述刻蚀硬覆盖体。对所述图案区执行光刻蚀操作,以移除所述光阻挡层的残留物。[0005]根据本公开的又一方面,一种用于光掩模制造操作的刻蚀硬覆盖体是由陶瓷制成,且具有框架形状,所述框