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本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模。相移掩模坯料,包括透明基板、在透明基板上形成的刻蚀保护膜、和与刻蚀保护膜接触地形成的相移膜,其中曝光光是ArF准分子激光。刻蚀保护膜包含含有铪和氧、或者铪、硅和氧的材料,并具有1至30nm的厚度和相对于曝光光不小于85%的透射率,并且相移膜包含含有硅且不含铪的材料,并具有50至90nm的厚度。