晶圆清洗方法及清洗装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109817512A(43)申请公布日2019.05.28(21)申请号201711173925.6(22)申请日2017.11.22(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室(72)发明人赵向阳(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图2页(54)发明名称晶圆清洗方法及清洗装置(57)摘要本发明提供一种晶圆清洗方法及清洗装置，包括：第一处理腔室，设有与其内部相连通的第一进气管路，第一进气管路用于向第一处理腔室内部提供保护气体保护气氛；第一处理单元，位于第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下将晶圆进行清洗，以使得晶圆的表面呈疏水性，且无悬挂键；第二处理单元，位于第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下将表面呈疏水性的晶圆进行去离子水清洗；第三处理单元，位于第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下去离子水清洗后的晶圆进行干燥。本发明的晶圆清洗装置在对晶圆进行清洗后不会在晶圆表面残留水迹，在干燥过程中不会在晶圆表面形成金属，在后续测量晶圆体金属含量时不会在晶圆内部形成体金属缺陷。CN109817512ACN109817512A权利要求书1/3页1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置包括：第一处理腔室，所述第一处理腔室上设有与其内部相连通的第一进气管路，所述第一进气管路用于向所述第一处理腔室内通入保护气体，以为所述第一处理腔室内部提供保护气体保护气氛；第一处理单元，位于所述第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下将SC-2清洗液清洗后的晶圆进行清洗，以使得所述晶圆的表面呈疏水性，且使得所述晶圆表面无悬挂键；第二处理单元，位于所述第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下将表面呈疏水性的所述晶圆进行去离子水清洗；第三处理单元，位于所述第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下去离子水清洗后的所述晶圆进行干燥。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一处理腔室上还设有第一检测管路及氧浓度检测装置：其中，所述第一检测管路与所述第一处理腔室内部相连通，所述氧浓度检测装置与所述第一检测管路相连接，用于检测所述第一处理腔室内的氧浓度。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括：第一缓冲区，位于所述第一处理腔室的一侧；所述第一缓冲区上设有第二进气管路，所述第二进气管路用于向所述第一缓冲区内通入保护气体，以为所述第一缓冲区内部提供保护气体保护气氛；所述第一缓冲区用于在将暂存需要传送至所述第一处理腔室的所述晶圆；第一传送门，位于所述第一缓冲区与所述第一处理腔室之间；所述第一传送门打开时，用于提供所述晶圆自所述第一缓冲区向所述第一处理腔室传送的传送通道，所述第一传送门关闭时，用于将所述第一缓冲区与所述第一处理腔室相隔离。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一缓冲区上还设有第二检测管路，所述第二检测管路与所述第一缓冲区内部及所述氧浓度检测装置相连接，所述氧浓度检测装置还用于检测所述第一缓冲区内的氧浓度。5.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括第二传送门，所述第二传送门设置于所述第一缓冲区远离所述第一处理腔室的一侧，所述第二传送门打开时，用于提供向所述第一缓冲区传送晶圆的传送通道，所述第二传送门关闭时，用于将所述第一缓冲区与外界相隔离。6.根据权利要求3至5中任一项所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括：第二缓冲区，位于所述第一处理腔室远离所述第一缓冲区的一侧；所述第二缓冲区上设有第三进气管路，所述第三进气管路用于向所述第二缓冲区内通入保护气体，以为所述第二缓冲区内部提供保护气体保护气氛；所述第二缓冲区用于将所述第三处理单元干燥后的晶圆于保护气体保护气氛下冷却至室温；第三传送门，位于所述第一处理腔室与所述第二缓冲区之间；所述第三传送门打开时，用于提供所述晶圆自所述第一处理腔室向所述第二缓冲区传送的传送通道，所述第三传送门关闭时，用于将所述第二缓冲区与所述第一处理腔室相隔离。7.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第二缓冲区上还设有第三检测管路，所述第三检测管路与所述第二缓冲区内部及所述氧浓度检测装置相连接，所述氧2CN109817512A权利要求书2/3页浓度检测装置还用于检测所述第二缓冲区内的氧浓度。8.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括：第二处理腔室，位于所述第一缓冲区远离所述第一处理腔室的一侧；第四处理单元，位于所述第二处理腔室内