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一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法.pdf
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兴朝****45
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本发明提供一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法，包括将晶圆放置在定位器上进行定位；真空发生组件抽真空使得定位器与晶圆之间形成真空；驱动组件驱动定位器旋转，从而驱动晶圆旋转；控制器根据第一清洗指令控制一输气管道向对应的喷嘴输送液态二氧化碳以对晶圆的下表面进行清洗；液态二氧化碳对晶圆的下表面清洗后变成气态二氧化碳进入回收腔体内，回收腔体对气态二氧化碳进行回收。对于晶圆表面纳米尺寸下具有高深宽比的器件微结构，很容易去除水分子等残留物，二氧化碳不仅起到有效的清洁作用，还起到有效的干燥作用，还可以与其他清洗剂混合使用。
2023-11-09
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。所述晶圆清洗装置包括：支撑台，用于承载晶圆；第一喷嘴，位于所述支撑台上方，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射气体，所述第一喷嘴能够在与所述晶圆的中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够倾斜喷射气体；控制组件，连接所述第一喷嘴，用于驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。本发明减少甚至是避免了晶圆表面颗粒物的残留，提高了晶圆表面的洁净度；同时，避免了晶圆表面中心区
2023-11-09
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本发明提供了一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。该装置用于对基台吸附的晶圆进行清洗，基台具有承载晶圆的第一表面，该晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴，去离子水喷嘴设置于基台的第一表面上方，各去离子水喷嘴的喷射方向不同，且各去离子水喷嘴的喷射方向与第一表面之间具有夹角θ，0°＜θ＜90°。通过使去离子水喷嘴的喷射方向倾斜于晶圆表面，还能够减缓去离子水对晶片上残留物缺陷的压力，使中间的缺陷不易形成，并且还能够增加对缺陷的水平推力，减少中间已有的缺陷，进而大大提升了工艺良率；另一方面，相比于现有技术中垂直于晶圆的喷嘴
2023-11-17
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本发明提供了一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，属于半导体技术领域。晶圆清洗装置，包括：晶圆支撑台，所述晶圆支撑台上设置有用以固定待清洗的晶圆的多个固定组件，每一所述固定组件上设置有第一磁性部件；驱动组件，用以驱动所述晶圆支撑台绕自身轴线旋转；设置在所述晶圆支撑台一侧的第二磁性部件，所述第一磁性部件与所述第二磁性部件的磁性相同或相反，在所述晶圆支撑台旋转使得所述多个固定组件中的一个固定组件移动至靠近所述第二磁性部件时，所述第二磁性部件与该固定组件的第一磁性部件相互作用，使得该固定组件发生位移与所述晶圆之间产生
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本发明公开一种晶圆清洗装置、设备和清洗方法,晶圆清洗装置包括主驱动组件、从驱动组件和状态检测组件,从驱动组件在主驱动组件的驱动下,带动被清洗晶圆旋转,状态检测组件获取检测被清洗晶圆的旋转状态是否正常的检测数据,从驱动组件在被清洗晶圆的旋转状态异常时,沿第二旋转轴线的延伸方向移动,以使被清洗晶圆的旋转状态正常。由于状态检测组件可以获取检测被清洗晶圆的旋转状态是否正常的检测数据,从驱动组件在被清洗晶圆的旋转状态异常时,沿第二旋转轴线的延伸方向移动,从而使被清洗晶圆的旋转状态正常,即被清洗晶圆的转速正常,进而可
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