掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110047738A(43)申请公布日2019.07.23(21)申请号201910332924.4G02F1/1362(2006.01)(22)申请日2019.04.24G02F1/1368(2006.01)(71)申请人合肥鑫晟光电科技有限公司地址230012安徽省合肥市新站区工业园内申请人京东方科技集团股份有限公司(72)发明人安晖叶成枝吕艳明操彬彬(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静胡影(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L21/34(2006.01)H01L29/786(2006.01)G02F1/1333(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置(57)摘要本发明提供一种掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括：形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层，在绝缘保护层上形成光阻，采用掩膜版形成光阻图案，光阻图案包括：光阻全保留区域，第一光阻部分保留区域，第二光阻部分保留区域和光阻去除区域，第二光阻部分保留区域的厚度小于第一光阻部分保留区域的厚度；对光阻图案和绝缘保护层进行刻蚀，使光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄，第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除，绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔；形成源漏金属层；剥离剩余光阻及位于剩余光阻上的源漏金属层，形成源极和漏极。本发明可以实现栅极和源/漏极的自对准。CN110047738ACN110047738A权利要求书1/2页1.一种掩膜版，其特征在于，用于制作薄膜晶体管，所述掩膜版包括：第一部分透光区，对应所述薄膜晶体管的栅极；第二部分透光区，位于所述第一部分透光区的相对的两侧，所述第二部分透光区的透光率小于或等于所述第一部分透光区的透光率；不透光区，位于所述第二部分透光区的远离所述第一部分透光区的两侧，其中，一所述不透光区和一所述第二部分透光区对应所述薄膜晶体管的源极或漏极；全透光区，位于所述第一部分透光区、第二部分透光区和所述不透光区的外围。2.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层，所述有源层的材料为透明半导体材料；在所述绝缘保护层上形成光阻，采用如权利要求1所述的掩膜版，对所述光阻进行曝光并显影，形成光阻图案，所述光阻图案包括：对应所述掩膜版的全透光区的光阻全保留区域，对应所述掩膜版的第一部分透光区的第一光阻部分保留区域，对应所述掩膜版的第二部分透光区的第二光阻部分保留区域，和对应所述掩膜版的不透光区的光阻去除区域，其中，所述第二光阻部分保留区域的厚度小于所述第一光阻部分保留区域的厚度；对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行刻蚀，使所述光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄，所述第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除，所述绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔；形成源漏金属层，所述源漏金属层覆盖刻蚀后的剩余光阻和所述开孔；剥离所述剩余光阻及位于所述剩余光阻上的源漏金属层，形成源极和漏极。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极的材料为Cu、Al或Ag。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行刻蚀的步骤包括：采用干刻工艺，对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行同步刻蚀。5.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行刻蚀的步骤包括：在对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行刻蚀的过程中，对所述开孔裸露的有源层进行导体化处理，形成源极接触区和漏极接触区。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括采用如权利要求2-5任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作薄膜晶体管的步骤。7.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求2-5任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作而成，所述薄膜晶体管包括：衬底基板；栅极；栅极绝缘层；有源层，所述有源层的材料为透明半导体材料；绝缘保护层，所述绝缘保护层上开设有开孔；2CN110047738A权利要求书2/2页源极和漏极，所述源极和漏极通过所述开孔与所述有源层接触，所述源极和漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述开孔在所述衬底基板上的正投影重叠。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括：有源区和位于所述有源区的相对的两侧的源极接触区和漏极接触区，所述有源区为半导体，所述源极接触区和所述漏极接触区为导体，