薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105702584A(43)申请公布日2016.06.22(21)申请号201610073355.2(22)申请日2016.02.02(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方光电科技有限公司(72)发明人林子锦赵海生裴晓光彭志龙孙东江(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人黄灿张博(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/10(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置(57)摘要本发明提供了一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管的制作方法包括：在基板上形成过渡层；对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形，其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构；在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。本发明的技术方案能够避免膜层残留不良，提高阵列基板的良品率。CN105702584ACN105702584A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成过渡层；对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形，其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构；在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述过渡层的材料为光刻胶材料。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一结构层为有源层。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述过渡层为正性光刻胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括：采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半透光区域和完全透光区域；显影后形成对应所述不透光区域的所述过渡层保留区域的第一部分、对应所述半透光区域的所述过渡层保留区域的第二部分和对应所述完全透光区域的所述过渡层未保留区域，其中，所述第一部分的过渡层的厚度大于所述第二部分的过渡层的厚度。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述过渡层为负性光刻胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括：采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半透光区域和完全透光区域；显影后形成对应所述完全透光区域的所述过渡层保留区域的第一部分、对应所述半透光区域的所述过渡层保留区域的第二部分和对应所述不透光区域的所述过渡层未保留区域，其中，所述第一部分的过渡层的厚度大于所述第二部分的过渡层的厚度。6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述除去所述过渡层包括：将剥离液与裸露的所述过渡层接触，使得所述过渡层与剥离液反应从基板上除去。7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形包括：在所述材料层上涂覆一层光刻胶；利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，所述光刻胶保留区域对应所述第一结构层的图形；利用干法刻蚀除去光刻胶未保留区域的所述材料层；将剥离液与所述过渡层接触，使得所述过渡层与剥离液反应从基板上除去。8.根据权利要求1-7中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述材料层为采用a-Si和N+a-Si。9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，采用如权利要求1-8中任一项所述方法在基板上形成薄膜晶体管。10.一种阵列基板，其特征在于，包括形成在基板上，采用如权利要求1-8中任一项所述2CN105702584A权利要求书2/2页方法制作的薄膜晶体管。11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的阵列基板。3CN105702584A说明书1/6页薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置。背景技术[0002]现有阵列基板的制作工艺包括在衬底基板上依次形成栅金属层的图形、有源层的图形、源漏金属层的图形、钝化层的图形和透明导电层的图形，其中，在制作每一层的图形时，都需要采用沉积、涂覆光刻