掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113759655A(43)申请公布日2021.12.07(21)申请号202110957387.X(22)申请日2021.08.19(71)申请人惠科股份有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层，6栋七层(72)发明人王光加黄世帅袁海江(74)专利代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287代理人关向兰(51)Int.Cl.G03F1/32(2012.01)权利要求书1页说明书9页附图7页(54)发明名称掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板(57)摘要本发明公开了一种掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板。其中，所述掩膜版包括：与所述沟道区域对应的第一曝光区、位于所述第一曝光区一侧的待形成源极的第二曝光区、位于所述第一曝光区相对的另一侧的待形成漏极的第三曝光区，以及位于所述第二曝光区部分边缘的与所述第一曝光区不重叠的第四曝光区，所述第一曝光区与所述第四曝光区均为半透光区域。本发明技术方案的掩膜版在曝光和显影的过程中，能使得部分光阻遗留在与第一曝光区和第四曝光区相对应的区域内，对待形成沟道区域和待形成源极的区域进行保护，从而保证源极的加工尺寸，提高源极与栅极形成的寄生电容的稳定性。CN113759655ACN113759655A权利要求书1/1页1.一种掩膜版，用于制备阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括间隔设置的栅极、源极及漏极，所述源极与漏极之间形成有沟道区域，其特征在于，所述掩膜版包括：与所述沟道区域对应的第一曝光区、位于所述第一曝光区一侧的待形成源极的第二曝光区、位于所述第一曝光区相对的另一侧的待形成漏极的第三曝光区，以及位于所述第二曝光区部分边缘的与所述第一曝光区不重叠的第四曝光区，所述第一曝光区与所述第四曝光区均为半透光区域。2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二曝光区呈长条状，所述第二曝光区的长边边缘对应所述源极与漏极相重叠的位置处设置有所述第四曝光区。3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第二曝光区的长边边缘未对应所述栅极的部分的位置处设置所述第四曝光区。4.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第四曝光区未与所述栅极对应的部分的长度为L，其中，L大于等于1.5μm。5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，在垂直于所述源极长度方向的方向上，所述第四曝光区的宽度范围为0.5μm～2μm；且/或，所述第四曝光区与所述第二曝光区无间隙设置。6.如权利要求1至5中任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版为半色调掩膜版，所述第一曝光区的各个位置的透光率均相同，所述第四曝光区各个位置的透光率均相同，且所述第一曝光区的透光率与所述第四曝光区的透光率相同。7.如权利要求1至5中任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述第一曝光区包括第一全透部和第一遮盖部，在垂直于所述第一曝光区的延伸方向上，所述第一全透部和所述第一遮盖部间隔设置；所述第四曝光区包括第二全透部和第二遮盖部，在垂直于所述第四曝光区的延伸方向上，所述第二全透部和第二遮盖部间隔设置。8.如权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述第一遮盖部和第二遮盖部均呈长条形，所述第一遮盖部和所述第二遮盖部的宽度范围均为0.6μm～1μm；所述第一全透部和第二全透部的宽度范围均为0.6μm～1μm；且/或，所述第一遮盖部和第二遮盖部的材质均为铬。9.一种采用如权利要求1至8中任意一项所述的掩膜版制作阵列基板的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供一基底，在所述基底上自下而上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、金属层及光阻层，所述半导体层对应所述栅极的位置设有沟道区域；将所述掩膜版设于所述光阻层的上方，对所述光阻层进行曝光并显影；进行第一次蚀刻，去除未被所述光阻层遮盖的金属层和半导体层；进行灰化制程，去除所述沟道区域的光阻层和第四曝光区的光阻层；进行第二次蚀刻，去除所述沟道区域的金属层和部分半导体层，以及所述第四曝光区的金属层和半导体层，形成有源层、与有源层两端接触且间隔设置的源极和漏极。10.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板、阵列基板和液晶层，所述彩膜基板和所述阵列基板对盒设置，所述阵列基板为采用如权利要求9所述的阵列基板的制作方法制备而成。2CN113759655A说明书1/9页掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板技术领域[0001]本发明涉及显示面板制备技术领域，特别涉及一种掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板。背景技术[0002]由于薄膜晶体管液晶显示器(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT‑LCD)具有低辐射、体积小、能耗低等优点