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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113467179A(43)申请公布日2021.10.01(21)申请号202110707248.1H01L27/12(2006.01)(22)申请日2021.06.23(71)申请人惠科股份有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层,6栋七层(72)发明人王光加袁海江(74)专利代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287代理人魏润洁(51)Int.Cl.G03F1/00(2012.01)G03F1/38(2012.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书8页附图8页(54)发明名称掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板(57)摘要本发明公开了一种掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板。其中,所述掩膜版包括:与沟道区域对应的第一曝光区、位于所述第一曝光区一侧的待形成源极的第二曝光区、位于第一曝光区相对的另一侧的待形成漏极的第三曝光区,以及位于第三曝光区背离所述第一曝光区一侧的第四曝光区,所述第一曝光区与第四曝光区均为半透光区域。本发明技术方案的掩膜版在曝光和显影的过程中,能使得部分光阻遗留在与第一曝光区和第四曝光区相对应的区域内,对待形成沟道区域和待形成漏极的区域进行保护,从而提升画素的开口率。CN113467179ACN113467179A权利要求书1/2页1.一种掩膜版,用于制备阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括间隔设置的栅极、源极及漏极,所述源极与漏极之间形成有沟道区域,其特征在于,所述掩膜版包括:与所述沟道区域对应的第一曝光区、位于所述第一曝光区一侧的待形成源极的第二曝光区、位于所述第一曝光区相对的另一侧的待形成漏极的第三曝光区,以及位于所述第三曝光区背离所述第一曝光区一侧的第四曝光区,所述第一曝光区与所述第四曝光区均为半透光区域。2.如权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第四曝光区的宽度范围为1~2μm;和/或,所述第一曝光区的宽度范围为3~5μm。3.如权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版还包括第五曝光区,所述第五曝光区设于所述第四曝光区背离所述第三曝光区的一侧。4.如权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第一曝光区与所述第四曝光区的透光率相同;和/或,所述第四曝光区与所述第三曝光区无间隙设置。5.如权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第三曝光区和所述第四曝光区均呈U型设置,且所述第四曝光区与所述第三曝光区相向的两边缘长度相一致。6.一种采用如权利要求1至5中任意一项所述的掩膜版制作阵列基板的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:提供一基底,在所述基底上自下而上依次形成栅极和栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层、第一金属层及第一光阻层,所述半导体层对应所述栅极的位置设有沟道区域;将所述掩膜版设于所述第一光阻层的上方,对所述第一光阻层进行曝光并显影;利用剩余的第一光阻层图案化所述半导体层和第一金属层,形成位于栅极绝缘层上的有源层和位于所述有源层上的间隔设置的源极与漏极。7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第二曝光区和第三曝光区为不透光区域,所述第五曝光区为全透光区域,所述第一光阻层的材质为正性光阻。8.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述“利用剩余的第一光阻层图案化所述半导体层和第一金属层,形成位于栅极绝缘层上的有源层和位于所述有源层上的间隔设置的源极与漏极”的步骤具体为:进行第一次蚀刻,去除未被所述第一光阻层遮盖的第一金属层和半导体层;进行灰化制程,去除所述沟道区域的第一光阻层和第四曝光区的第一光阻层;进行第二次蚀刻,去除所述沟道区域的第一金属层和部分半导体层,以及所述第四曝光区的第一金属层和半导体层,形成有源层、与有源层两端接触且间隔设置的源极和漏极。9.如权利要求6或8任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述“利用剩余的第一光阻层图案化所述半导体层和第一金属层,形成位于栅极绝缘层上的有源层和位于所述有源层上的间隔设置的源极与漏极”的步骤之后,还包括:在所述栅极绝缘层上沉积待形成柱状隔垫物的第二光阻层;图案化所述第二光阻层,形成与所述漏极间隔设置的柱状隔垫物。10.一种显示面板,其特征在于,包括彩膜基板、阵列基板和液晶层,所述彩膜基板和所2CN113467179A权利要求书2/2页述阵列基板对盒设置,所述阵列基板为采用如权利要求6至9中任一项所述的阵列基板的制作方法制备而成。3CN113467179A说明书1/8页掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板技术领域[0001]本发明涉及显示面板制备技术领域,特别涉及一种掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板