用于蚀刻由铜层及钼层构成的金属层的蚀刻液及其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110219003A(43)申请公布日2019.09.10(21)申请号201910582995.X(22)申请日2019.07.01(71)申请人江苏和达电子科技有限公司地址210012江苏省镇江市扬中市新坝镇扬中大桥东侧(72)发明人王毅明邵振(51)Int.Cl.C23F1/44(2006.01)C23F1/18(2006.01)C23F1/26(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称用于蚀刻由铜层及钼层构成的金属层的蚀刻液及其应用(57)摘要本发明公开了一种蚀刻液及其在用于蚀刻由铜层及钼层构成的金属层方面的应用，所述蚀刻液包含：含有3个及以上碳原子个数的有机酸；有机碱；过氧化氢；稳定剂；及去离子水。本发明提供的蚀刻液对由铜层及钼层构成的金属层具有蚀刻速率适当、蚀刻方向容易控制、蚀刻均匀无残留的效果，且该蚀刻液稳定性高，对环境友好，具有良好的应用价值。CN110219003ACN110219003A权利要求书1/1页1.一种蚀刻液，其特征在于，包含：含有3个及以上碳原子个数的有机酸；有机碱；过氧化氢；稳定剂；及去离子水。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述含有3个及以上碳原子个数的有机酸的重量占所述蚀刻液总重量的1-80%。3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述有机碱的重量占所述蚀刻液总重量的1-35%。4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述过氧化氢占所述蚀刻液总重量的1-25%。5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述稳定剂为唑类化合物，所述唑类化合物占所述蚀刻液总重量的0.01-1%。6.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述有机酸选自丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、丙二酸、丁二酸、马来酸、苹果酸、苯甲酸、苯乙酸、邻苯二甲酸、酒石酸、对苯二甲酸、2,2-二甲基戊酸、3-环己基丁酸、丙烯酸、二甲基丙二酸、巯基乙酸、3-甲基-4-羟基-5-溴苯甲酸、3,4,5-三羧基苯甲酸、11-羟基-7-十九碳烯酸、3,4-二甲基戊酸、反-1,2-环己基二甲酸中的一种或几种。7.根据权利要求6所述的蚀刻液，其特征在于，所述有机酸包含：第一有机酸和第二有机酸，所述第一有机酸选自丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、丙二酸、丁二酸、马来酸、苹果酸、苯甲酸、酒石酸、苯乙酸、邻苯二甲酸中的一种或几种；所述第二有机酸选自对苯二甲酸、2,2-二甲基戊酸、3-环己基丁酸、丙烯酸、二甲基丙二酸、巯基乙酸、3-甲基-4-羟基-5-溴苯甲酸、3,4,5-三羧基苯甲酸、11-羟基-7-十九碳烯酸、3,4-二甲基戊酸、反-1,2-环己基二甲酸中的一种或几种。8.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述的有机碱选自丁二胺、戊二胺、苯胺、苄胺、N-甲基苯胺、三苯胺、四甲基氢氧化铵、甲胺、乙胺、三甲胺、丙胺、N,N-二甲基苯胺、乙醇胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、苯基脲、硫酸羟脲、5-氟脲嘧啶中的一种或者几种。9.根据权利要求8所述的蚀刻液，其特征在于，所述有机碱包含：第一有机碱和第二有机碱，所述第一有机碱选自丁二胺、戊二胺、苯胺、N-甲基苯胺、三苯胺、N,N-二甲基苯胺、甲胺、乙胺、三甲胺、丙胺中的一种或几种，所述第二有机碱选自苄胺、四甲基氢氧化铵、二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、乙醇胺、三乙醇胺、苯基脲、硫酸羟脲、5-氟脲嘧啶中的一种或几种。10.权利要求1-9任意一项所述蚀刻液在用于蚀刻由铜层及钼层构成的金属层方面的应用。2CN110219003A说明书1/6页用于蚀刻由铜层及钼层构成的金属层的蚀刻液及其应用技术领域[0001]本发明属于金属表面化学处理领域，具体涉及一种用于蚀刻由铜层及钼层构成的金属层的蚀刻液及其应用。背景技术[0002]液晶显示器(LCD)通常包含上、下基板及夹持于其中的液晶介质，基板上通常设有含有铜等低电阻率且耐蚀性高的金属层，显示器金属层多是使用铝、铜、钛、铁等金属或金属氧化物，制程较为复杂。有些由于材料特性，已经达不到目前市场的品质需求，且金属导线电阻值较大，会造成信号延迟，若刷屏次数小于24次/秒，就会看到拖尾或卡顿的现象。因此近来较为常见的是使用含有铜与钼的多层金属薄膜作为金属层，且一般是通过湿式蚀刻使该金属层产生预定图样。倘若该图样的金属层端部与基板间存在底切现象，将使得后续制程中的覆盖不平整，进而导致非预期的断路，因此金属层端部与基板间的蚀刻形状对于液晶显示器的良率至关重要，而湿式蚀刻所使用的蚀刻液组成即为控制蚀刻形状的关键因素之一。[0003]以往使用的过氧化氢的蚀刻液可以实现铜或铜合金与钼或钼合金构成的多层金属层的批量湿式蚀刻及图案形成的优点，但是，由于过氧化氢的分解速度会