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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107858685A(43)申请公布日2018.03.30(21)申请号201711130081.7(22)申请日2017.11.15(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人赵芬利(74)专利代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304代理人孙伟峰(51)Int.Cl.C23F1/18(2006.01)C23F1/26(2006.01)G02F1/13(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用(57)摘要本发明属于液晶面板加工技术领域,尤其公开了一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,其包括以下按质量百分数均匀混合的成分:15%~20%的氧化剂、15%~20%的酸性缓冲液、5%~10%的蚀刻调节剂、1%~3%的蚀刻抑制剂、以及3%~8%的螯合剂。在该蚀刻液中,蚀刻抑制剂是一种无氟蚀刻抑制剂,从而,本发明的无氟蚀刻液对环境友好,不会造成玻璃等材料的基板及IGZO等特殊材料的损伤。另外,根据本发明的蚀刻液可调节铜/钼膜层的蚀刻速度,使其成为具有适当锥角的蚀刻轮廓,并控制相应的CDLoss下保证没有Mo残留。本发明还提供了一种基于上述蚀刻液在液晶显示面板中的应用。CN107858685ACN107858685A权利要求书1/1页1.一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,其特征在于,包括均匀混合的氧化剂、酸性缓冲液、蚀刻调节剂、蚀刻抑制剂以及螯合剂;其中,在所述蚀刻液中,所述氧化剂的质量百分数为15%~20%,所述酸性缓冲液的质量百分数为15%~20%,所述蚀刻调节剂的质量百分数为5%~10%,所述蚀刻抑制剂的质量百分数为1%~3%,所述螯合剂的质量百分数为3%~8%。2.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述氧化剂为过氧化氢。3.根据权利要求2所述的蚀刻液,其特征在于,所述过氧化氢的来源为双氧水,所述双氧水的浓度为27%~30%。4.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述酸性缓冲液选自邻苯二甲酸氢氨-氨水缓冲液、枸杞酸-乙醇-氨水缓冲溶液、醋酸铵-盐酸-氨溶液、冰醋酸-氨水缓冲溶液、醋酸-醋酸钠缓冲溶液、三乙胺-甲醇-磷酸溶液、醋酸-乙醇-氢氧化铵、六亚甲基四胺-盐酸缓冲溶液中的任意一种。5.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻调节剂为胺类化合物。6.根据权利要求5所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻调节剂选自叔丁胺、甲胺、二乙胺、苯胺、环己胺、N-甲基乙胺、N-甲基-N-乙基丙胺、N-甲基-N-乙基环丙胺、N,N-二甲基对苯二胺、N,N-二甲基苯胺、N,3-二甲基-N-乙基苯胺、2-氨基-4-甲基戊烷、3-(N-乙氨基)庚烷、N-乙基苄基胺、N,N-二甲基环己胺、N-甲基-N-环己基苄基胺、乙酰苯胺、N-苯基苯甲胺中的至少一种。7.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻抑制剂选自五甲烯四氮唑、2,3-二甲基-1-苯基-3-吡唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3,5-二甲基吡唑、N-乙基咔唑、2-(4-氨基苯基)-6-甲基苯并噻唑、6-硝基苯并咪唑、5-氯代苯并三氮唑、2-氨基-6-氯苯并噻唑、2-氨基噻唑、2-甲基苯并噻唑、2-氨基-5-硝基噻唑、2-氨基苯并噻唑中的至少一种。8.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、双硫腙、8-羟基喹啉、邻菲咯啉、酒石酸钾铵、聚乙烯亚胺、壳聚糖、甘氨酸、赖氨酸、蛋氨酸、三乙烯四胺、吡咯烷二硫代氨基甲酸铵、乙二胺四正丙酸、1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚、乙二胺四甲撑膦酸中的至少一种。9.根据权利要求1-8任一所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻液的pH为3.5~5.5。10.一种如权利要求1-9任一所述的蚀刻液在液晶显示面板中的应用。2CN107858685A说明书1/4页用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用技术领域[0001]本发明属于液晶显示面板加工技术领域,具体来讲,涉及一种液晶显示面板中用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用。背景技术[0002]高端的液晶显示面板普遍采用铜导线制程作为栅栏线或数据线,这是因为相较于铝金属,铜的电阻值低,加工性能优异,铜导线线宽不需要达到铝导线的宽度,可以节省溅镀靶材的材料成本,提高液晶显示面板的穿透度与背光源使用效率。[0003]TFT-LCD中铜制程图案的形成方式一般为:首先,在基板上通过PVD形成铜/钼薄膜,钼的作用为增加铜与基板的贴附性,阻挡铜向基板的扩散;然后,通过光刻胶形成图案;其中,去除不需要部分的铜/钼薄膜需要通过蚀刻液来完成。[0004]然而,目前使用的铜/钼蚀刻液普遍含氟,对环境与器件都会产生负面影响;而且