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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108004550A(43)申请公布日2018.05.08(21)申请号201711483863.9(22)申请日2017.12.29(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人邓金全李嘉赵芬利(74)专利代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304代理人孙伟峰吕颖(51)Int.Cl.C23F1/44(2006.01)C23F1/18(2006.01)C23F1/26(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用(57)摘要本发明属于液晶面板加工技术领域,尤其公开了一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,其包括以下按质量百分数均匀混合的成分:0.1%~40%的氧化剂、0.1%~5%的无机酸、0.1%~30%的有机酸、0.001%~5%的蚀刻稳定剂以及0.1%~5%的螯合剂。根据本发明的蚀刻液是一种无氟蚀刻液,其对环境友好,不会造成玻璃等材料的基板及IGZO等特殊材料的损伤。另外,根据本发明的蚀刻液可调节铜/钼膜层的蚀刻速度,使其成为具有适当锥角的蚀刻轮廓,并控制相应的CDLoss下保证没有Mo残留,尤其适用于Mo层厚度较大的情况。本发明还提供了一种基于上述蚀刻液在液晶显示面板中的应用。CN108004550ACN108004550A权利要求书1/1页1.一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,其特征在于,包括均匀混合的氧化剂、无机酸、有机酸、蚀刻稳定剂以及螯合剂;其中,在所述蚀刻液中,所述氧化剂的质量百分数为0.1%~40%,所述无机酸的质量百分数为0.1%~5%,所述有机酸的质量百分数为0.1%~30%,所述蚀刻稳定剂的质量百分数为0.001%~5%,所述螯合剂的质量百分数为0.1%~5%。2.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述氧化剂为氧化性酸和/或所述氧化性酸的水溶性盐。3.根据权利要求2所述的蚀刻液,其特征在于,所述氧化剂选自过氧化氢、次氯酸、高氯酸、高锰酸、过硫酸、过氧乙酸中的至少一种。4.根据权利要求3所述的蚀刻液,其特征在于,所述水溶性盐选自钠盐、钾盐、钙盐、铵盐中的至少一种。5.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述无机酸选自硫酸、盐酸、磷酸中的至少一种;所述有机酸选自甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、柠檬酸、苹果酸、乙醇酸、草酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸中的至少一种。6.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻稳定剂为咪唑啉季铵盐和/或疏基苯并三氮唑。7.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述螯合剂选自亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲撑磷酸、二亚乙基三胺五亚甲基磷酸、肌氨酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸及甘氨酸中的至少一种。8.根据权利要求1-7任一所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻液的pH为3.5~5.5。9.一种如权利要求1-8任一所述的蚀刻液在液晶显示面板中的应用。2CN108004550A说明书1/3页用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用技术领域[0001]本发明属于液晶显示面板加工技术领域,具体来讲,涉及一种液晶显示面板中用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用。背景技术[0002]随着液晶显示面板尺寸的增大,其中栅极及数据金属配线通常使用铜金属,与以往技术中的铝铬配线相比,铜可以将线宽做的更低,更加适合高分辨率面板的制作;但是,铜与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低,易扩散进入有源层等问题,所以通常使用钼等作为铜的下部薄膜金属。[0003]液晶显示面板中铜制程图案的形成方式一般为:首先,在基板上通过PVD形成铜/钼薄膜,钼的作用为增加铜与基板的贴附性,阻挡铜向基板的扩散;然后,通过光刻胶形成图案;其中,去除不需要部分的铜/钼薄膜需要通过蚀刻液来完成。[0004]然而,传统的铜/钼蚀刻液普遍含氟,对环境与器件都会产生负面影响;而且其蚀刻效率低,稳定性差;虽然目前发展了全新的无氟铜/钼蚀刻液可以避免上述问题,但目前一般的无氟铜/钼蚀刻液却存在刻蚀能力较低的问题,当遇到钼层厚度较大的情况时,容易出现钼残的问题,如图1和图2所示。发明内容[0005]为解决上述现有技术存在的问题,本发明提供了一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,该蚀刻液为无氟蚀刻液,该刻蚀液可以控制相应的CDLoss(即腐蚀对条宽的影响)下保证没有Mo残留,尤其适用于Mo层厚度较大的情况。[0006]为了达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:[0007]一种用于铜/钼膜层的蚀刻液,包括均匀混合的氧化剂、无机酸、有机酸、蚀刻稳定剂以及螯合剂;[0008]