一种覆铜陶瓷基板的活性金属层的蚀刻液及其刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111627822A(43)申请公布日2020.09.04(21)申请号202010344836.9(22)申请日2020.04.27(71)申请人江苏富乐德半导体科技有限公司地址224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号(72)发明人王斌贺贤汉孙泉欧阳鹏葛荘张恩荣(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280代理人陆叶(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)C23F1/02(2006.01)C23F1/38(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称一种覆铜陶瓷基板的活性金属层的蚀刻液及其刻蚀方法(57)摘要本发明公开了一种覆铜陶瓷基板的活性金属层的蚀刻液及其刻蚀方法。一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，由以下质量百分比的组分组成；5％-15％H2O2、3％-5％NaOH、1％-3％M、3％-5％N，余量为纯水；M为羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸钠、2-膦酸丁烷-1,2,4三羧酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、硫酸镁或硫酸镁的水合盐中的至少一种。上述蚀刻液针对于无银工艺焊料的含钛、铪、锆等活性金属与陶瓷形成的活性金属反应层，具备高针对性，溶液稳定性高、对温度不敏感、蚀刻效率高。CN111627822ACN111627822A权利要求书1/2页1.一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于，由以下质量百分比的组分组成；5％-15％H2O2、3％-5％NaOH、1％-3％M、3％-5％N，余量为纯水；M为羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸钠、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、硫酸镁或硫酸镁的水合盐中的至少一种；N为脂肪酸镁、水解聚丙烯酰胺、磷酸三钠、硅酸钠、三聚磷酸钠、碱金属偏磷酸盐、聚偏磷酸盐、苹果酸、柠檬酸钠、酒石酸、葡萄糖酸、羟乙酸中的至少一种。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于：所述活性金属反应层是由无银工艺钎焊料经活性金属钎焊工艺真空烧结后形成。3.根据权利要求1所述的一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于：所述活性金属反应层含有钛、铪、锆、硅化钛以及硅化钛中的至少一种。4.根据权利要求1所述的一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于：所述活性金属反应层的厚度为0.2mm-0.002mm。5.根据权利要求1所述的一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于：蚀刻液的PH值为9-10。6.根据权利要求1所述的一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于：H2O2在蚀刻液中的氧化还原电位为+0.87V。7.根据权利要求1所述的一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于：覆铜陶瓷基板为无银钎焊料真空活性钎焊覆铜陶瓷基板。8.根据权利要求1所述的一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板是氮化硅覆铜陶瓷基板、氮化铝覆铜陶瓷基板、氧化铝覆铜陶瓷基板或者氧化锆覆铜陶瓷基板。9.根据权利要求1所述的一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，其特征在于：刻蚀液的配置步骤如下：S1:将质量分数为30％-50％的H2O2溶液、NaOH固体试剂、M固体、N固体以及纯水定量取样；在第一玻璃容器中加入适量纯水；S2:所述的纯水中加入适量的H2O2溶液，搅拌1min-3min；S3:在S2后的溶液中加入N，搅拌3min-5min；S4:第二玻璃容器中加入适量纯水，将M加入，搅拌至完全溶解，将第二玻璃容器中的溶液缓慢加入S2后的第一玻璃容器的溶液中且快速搅拌3min-5min；S5:在第三玻璃容器中加入适量纯水，将NaOH溶于水中，快速搅拌、逐渐冷却至室温，将第三玻璃容器中的溶液加入到S4后的第一玻璃容器的溶液中，搅拌3min-5min，完成蚀刻液配制。10.一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，使用无银钎焊料在真空条件下钎焊制成的覆铜陶瓷基板经贴膜、曝光、显影后，采用铜蚀刻液蚀刻形成带有图形的陶瓷线路板；步骤二，活性金属反应层蚀刻：将经步骤一处理过后的覆铜陶瓷基板浸没于蚀刻液中，2CN111627822A权利要求书2/2页超声20min-45min，控温≤50℃；刻蚀液由以下质量百分比的组分组成；5％-15％H2O2、3％-5％NaOH、1％-3％M、3％-5％N，余量为纯水；M为羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸钠、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、硫