用于蚀刻金属互连层的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111816607A(43)申请公布日2020.10.23(21)申请号202010278389.1(22)申请日2020.04.10(30)优先权数据16/383,1762019.04.12US(71)申请人德克萨斯仪器股份有限公司地址美国德克萨斯州(72)发明人P·费尔南德斯B·斯里尼瓦桑S·W·杰森G·S·马图尔(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司11245代理人李英(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/522(2006.01)H01L23/64(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图12页(54)发明名称用于蚀刻金属互连层的方法(57)摘要本申请公开了用于蚀刻金属互连层的方法。在一些示例中，一种方法(100)包括：获得具有沉积在衬底(402)上方的金属互连层的衬底；在金属互连层(404)上形成第一介电层(406)；在第一介电层上形成第二介电层(408)；在第二介电层上形成电容器金属层；将电容器金属层和第二介电层图案化和蚀刻至第一介电层，以将电容器金属层和第二介电层的部分留在第一介电层上(410)；形成抗反射涂层以覆盖电容器金属层和第二介电层的部分，并覆盖金属互连层(412)；以及图案化金属互连层以形成第一金属层和第二金属层(414)。CN111816607ACN111816607A权利要求书1/2页1.一种方法，其包括：获得衬底，其具有沉积在所述衬底上方的金属互连层；在所述金属互连层上形成介电层；在所述第二介电层上形成电容器金属层；将所述电容器金属层和所述第二介电层图案化并蚀刻到所述第一介电层，以将所述电容器金属层和所述第二介电层的部分留在所述第一介电层上；形成抗反射涂层以覆盖所述电容器金属层和所述第二电介质层的所述部分，并覆盖所述金属互连层；以及图案化所述金属互连层以形成第一金属层和第二金属层。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述介电层上形成第二介电层。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二介电层的厚底在1000埃至1600埃之间。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二介电层包含氮化硅且折射率在2.3至2.9之间。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成与所述抗反射涂层接触的层间电介质；以及图案化并蚀刻所述层间电介质以形成通孔结构。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容器金属层的厚度在1000埃至1400埃之间。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容器金属层包含氮化钛。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层的厚度在100至200埃之间。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述抗反射涂层包括氮氧化硅。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述抗反射涂层的折射率在1.7至2.1之间。11.根据权利要求9所述的方法，其中所述抗反射涂层的厚度在100埃至400埃之间。12.一种方法，其包括：获得衬底，其具有沉积在所述衬底上方的金属层；在所述金属层上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成氮化钛层；对所述氮化钛层和所述氮化硅层进行图案化和蚀刻以形成电容器介质，将所述氮化硅层的一部分留在所述金属层上；形成抗反射涂层以覆盖所述氮化钛层和所述氮化硅层的暴露部分；以及对所述金属层进行图案化。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述氮化硅层的厚度在1000埃到1600埃之间。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述氮化硅层的折射率在2.3至2.9之间。15.根据权利要求13所述的方法，其中所述氮化钛层的厚度在1000埃到1400埃之间。16.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述抗反射涂层包括形成氮氧化硅。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述氧氮化硅的折射率在1.7至2.1之间。18.一种集成电路，其包括：衬底；第一金属层和第二金属层，其位于所述衬底上方的相同横向级别上；第一电介质，其设置在所述第一金属层上；2CN111816607A权利要求书2/2页第一抗反射涂层，其设置在所述第一电介质上；第二电介质，其设置在所述第二金属层上；第三电介质，其设置在所述第二电介质上；电容器金属层，其设置在所述第三介电层上；以及第二抗反射涂层，其设置在所述电容器金属层和所述第二电介质上。19.根据权利要求18所述的集成电路，其中所述电容器金属层、所述第二电介质、第三电介质以及所述第二金属层实现电容器。20.根据权利要求18所述的集成电路，其中所述第一抗反射涂层和第二抗反射涂层包括氮氧化硅。3CN111816607A说明书1/6页用于蚀刻金属互连层的方法发明内容[0001]根据本公开的至少一个示例，一种方法包括：获得具有沉积在衬底上方的金属互连层的衬底；在金属互连层上形成第一介电层；在第一介电层