内容提供者
引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
2023-11-14
10金币
1.4MB
14页
一吃****福乾
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共14页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
本发明提供引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法，能够容易地将残留在模具浇道中的模制树脂从引线框架剥离。所述引线框架具有安装半导体芯片的正面和与正面相反侧的背面，在所述引线框架上并列设有多个包括芯片垫和多个引线的单位引线框架，背面包括设有单位引线框架的第一部位和作为第一部位以外的部位的第二部位。此外，第一部位具有比正面小的表面粗糙度，此外，第二部位具有比第一部位小的表面粗糙度。
2023-11-14
10
1.4MB
半导体引线框架蚀刻设备的制造方法.pdf
本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域，具体涉及半导体引线框架蚀刻设备的制造方法，以及通过所述半导体引线框架蚀刻设备，生产加工精密半导体引线框架的方法。具体包括由铜合金素材的清洗和表面粗化工艺、素材与感光干膜的贴合、采用激光设备通过掩模版对贴膜后素材曝光处理、显影、蚀刻、脱膜工艺以及各种电解金属工艺所组成。本发明的半导体引线框架蚀刻生产制造设备，为制备加工复杂精密半导体引线框架提供了切实可行的生产制造技术；通过本发明方法获得的具有表面粗糙度的半导体引线框架，蚀刻精密度高，其表面残留物大幅减少，
2023-11-06
10
518KB
一种引线框架及制造引线框架的方法.pdf
本发明涉及引线框架制造技术领域，尤其涉及一种引线框架及制造引线框架的方法，该引线框架按质量百分比计包括以下原料：Mn：0.2%～0.4%、Si：0.3%～0.6%、Ni：2.5%～3.0%、Zn：1.2%～1.6%、Fe：0.12%～0.18%、稀土Y：0.001%～0.008%、稀土Ce：0.012%～0.024%、改性玻璃粉：0.5%～0.9%、聚吡咯添加剂0.3%～0.9%，余量为Cu，且其制造方法包括以下步骤：S1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照Cu、Mn、Si、Ni+Zn、Fe、
2023-06-15
10
343KB
引线框架及其制造方法、基于该引线框架的芯片封装方法.pdf
本发明公开一种引线框架及其制造方法、基于该引线框架的芯片封装方法，所述引线框架制造方法包括：提供框架支撑板；将具有多个通孔的印刷版与所述框架支撑板相对固定，所述多个通孔排布成预定图案；在所述印刷版上印刷一层金属，所述排布成预定图案的通孔被印刷的金属填充；移除所述印刷版，在所述框架支撑板上留下被填充到所述通孔中的金属，以在所述框架支撑板上形成排布成预定图案的引线金属框。这样，利用印刷版将引线金属框印刷至框架支撑板上，可以省去连筋，从而可以提高封装的密度，降低成本。
2023-11-19
10
482KB
引线框架一体型基板、半导体装置及它们的制造方法.pdf
本发明涉及一种引线框架一体型基板、半导体装置、引线框架一体型基板的制造方法及半导体装置的制造方法。得到一种能够通过绝缘基板确保散热性并实现小型化的引线框架一体型基板。引线框架一体型基板11包括引线框架部12以及绝缘基板18，该引线框架部12包括引线框架的一部分，且具有构成基板图案的基板图案部14及引线端子部16，该绝缘基板18与基板图案部14及引线端子部16接合。
2023-06-11
10
1.3MB