一种引线框架及制造引线框架的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113278847A(43)申请公布日2021.08.20(21)申请号202110399104.4B23P15/00(2006.01)(22)申请日2021.04.14H01L21/48(2006.01)H01L23/495(2006.01)(71)申请人赛肯电子（徐州）有限公司地址221000江苏省徐州市鼓楼区经济技术开发区电子信息产业园A11栋(72)发明人陈艳竹(74)专利代理机构济南市新图新夏天专利代理事务所(普通合伙)37330代理人陈体芝(51)Int.Cl.C22C9/06(2006.01)C22C1/02(2006.01)C22C1/06(2006.01)C21D9/00(2006.01)C22F1/08(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种引线框架及制造引线框架的方法(57)摘要本发明涉及引线框架制造技术领域，尤其涉及一种引线框架及制造引线框架的方法，该引线框架按质量百分比计包括以下原料：Mn：0.2%～0.4%、Si：0.3%～0.6%、Ni：2.5%～3.0%、Zn：1.2%～1.6%、Fe：0.12%～0.18%、稀土Y：0.001%～0.008%、稀土Ce：0.012%～0.024%、改性玻璃粉：0.5%～0.9%、聚吡咯添加剂0.3%～0.9%，余量为Cu，且其制造方法包括以下步骤：S1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照Cu、Mn、Si、Ni+Zn、Fe、稀土Y、稀土Ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉和聚吡咯添加剂继续熔炼，随后再用铁模铸成板坯。本发明不仅能够提高该引线框架的耐划伤性能，而且还有助于该框架更好地进行散热。CN113278847ACN113278847A权利要求书1/1页1.一种引线框架，其特征在于，按质量百分比计包括以下原料：Mn：0.2%～0.4%、Si：0.3%～0.6%、Ni：2.5%～3.0%、Zn：1.2%～1.6%、Fe：0.12%～0.18%、稀土Y：0.001%～0.008%、稀土Ce：0.012%～0.024%、改性玻璃粉：0.5%～0.9%、聚吡咯添加剂0.3%～0.9%，余量为Cu。2.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于，所述改性玻璃粉由玻璃粉、去离子水和晶须为原料，硅烷偶联剂KH550为助剂制备而成。3.根据权利要求2所述的一种引线框架，其特征在于，所述改性玻璃粉的制备方法为：将玻璃粉和晶须混合加热至50℃后，再加入硅烷偶联剂KH550和去离子水搅拌均匀得半成品，将半成品投入挤出机中挤出，即得改性玻璃粉。4.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于，所述聚吡咯添加剂由聚吡咯、乙腈和环氧树脂为原料，硅烷偶联剂KH560为助剂制备而成。5.根据权利要求4所述的一种引线框架，其特征在于，所述聚吡咯添加剂的制备方法为：将聚吡咯、乙腈和环氧树脂混合加热至50℃后，再加入硅烷偶联剂KH550搅拌均匀，随后令其在150℃的温度下进行水浴加热15min后即得聚吡咯添加剂。6.一种引线框架的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照Cu、Mn、Si、Ni+Zn、Fe、稀土Y、稀土Ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉和聚吡咯添加剂继续熔炼，随后再用铁模铸成板坯；S2、将板坯使用锯床锯切成铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2～3小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；S3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品A；S4、将半成品A进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品B；S5、对半成品B进行拉拔—退火—拉拔，反复3～5次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。7.根据权利要求6所述的一种引线框架的制造方法，其特征在于，所述S1中熔炼温度为1200℃～1250℃。8.根据权利要求6所述的一种引线框架的制造方法，其特征在于，所述S2中铸锭的尺寸规格为40mm×l00mm×600mm。2CN113278847A说明书1/6页一种引线框架及制造引线框架的方法技术领域[0001]本发明涉及引线框架制造技术领域，尤其涉及一种引线框架及制造引线框架的方法。背景技术[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，是形成电气回路的关键结构件。引线框架用金属导电片代替常规的导线或线路板，起到了和外部导线连