引线框架一体型基板、半导体装置及它们的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763413A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211073630.2H01L21/56(2006.01)(22)申请日2022.09.02H01L21/60(2006.01)(30)优先权数据2021-1435082021.09.02JP(71)申请人新电元工业株式会社地址日本东京都(72)发明人池田康亮(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274专利代理师侯志源(51)Int.Cl.H01L23/495(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/367(2006.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图11页(54)发明名称引线框架一体型基板、半导体装置及它们的制造方法(57)摘要本发明涉及一种引线框架一体型基板、半导体装置、引线框架一体型基板的制造方法及半导体装置的制造方法。得到一种能够通过绝缘基板确保散热性并实现小型化的引线框架一体型基板。引线框架一体型基板11包括引线框架部12以及绝缘基板18，该引线框架部12包括引线框架的一部分，且具有构成基板图案的基板图案部14及引线端子部16，该绝缘基板18与基板图案部14及引线端子部16接合。CN115763413ACN115763413A权利要求书1/1页1.一种引线框架一体型基板，所述引线框架一体型基板包括：引线框架部，所述引线框架部包括引线框架的一部分，且具有构成基板图案的基板图案部及引线端子部，以及绝缘基板，所述绝缘基板与所述基板图案部及所述引线端子部接合。2.根据权利要求1所述的引线框架一体型基板，其中，所述绝缘基板具有包括热固性的树脂的树脂层，所述引线框架部通过所述树脂的热固化来与所述树脂层粘合。3.根据权利要求1或2所述的引线框架一体型基板，其中，所述绝缘基板具有在与所述引线框架部相反的一侧接合的金属层。4.一种半导体装置，所述半导体装置包括：根据权利要求1或2所述的引线框架一体型基板；半导体元件，所述半导体元件配置在所述引线框架部的所述基板图案部上；以及密封树脂，所述密封树脂将所述引线框架一体型基板及所述半导体元件密封。5.一种半导体装置，所述半导体装置包括：根据权利要求3所述的引线框架一体型基板；半导体元件，所述半导体元件配置在所述引线框架部的所述基板图案部上；以及密封树脂，所述密封树脂将所述引线框架一体型基板及所述半导体元件密封。6.一种引线框架一体型基板的制造方法，所述方法具有：重叠工序，在所述重叠工序中，将具有树脂层的B级绝缘基板的所述树脂层与引线框架部重叠，所述树脂层由热固性的树脂半固化而成，其中，所述引线框架部具有构成基板图案的基板图案部及引线端子部；以及接合工序，在所述接合工序中，将重叠工序后的所述B级绝缘基板及所述引线框架部压接的同时加热，使得所述树脂层与所述基板图案部及所述引线端子部接合。7.一种半导体装置的制造方法，所述方法具有：元件接合工序，在所述元件接合工序中，将半导体元件接合到具有构成基板图案的基板图案部及引线端子部的引线框架部的所述基板图案部；模具内重叠工序，在所述模具内重叠工序中，将具有树脂层的B级绝缘基板的所述树脂层、与所述元件接合工序后的所述引线框架部在模制模具的型腔内重叠，所述树脂层由热固性的树脂半固化而成；以及模具内接合工序，在所述模具内接合工序中，使用所述模制模具进行传递成形，使将所述B级绝缘基板、所述半导体元件及所述引线框架部密封的密封树脂成形，同时将所述B级绝缘基板与所述基板图案部及所述引线部接合。2CN115763413A说明书1/7页引线框架一体型基板、半导体装置及它们的制造方法[0001]相关技术的交叉引用[0002]本申请要求于2021年9月2日提交日本知识产权局的、申请号为2021‑143508的日本专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。技术领域[0003]本发明涉及一种引线框架一体型基板、半导体装置、引线框架一体型基板的制造方法及半导体装置的制造方法。背景技术[0004]日本专利申请特开2012‑15202号公报中公开的半导体装置包括：第一引线至第三引线；配置在第三引线上的半导体元件；将半导体元件的源极电极与第一引线连接的第一金属带；将半导体元件的栅极电极与第二引线连接的第二金属带；以及将第一引线至第三引线的一部分、半导体元件以及第一金属带和第二金属带密封的密封树脂，其中，第一引线至第三引线的前端部被导出到密封树脂的外部。发明内容[0005]发明要解决的课题[0006]上述半导体装置不包括安装有半导体元件的绝缘基板，因此能够使半导体装置小型化。但是，与包括绝缘基板的半导体装置相比，存在散热性、绝缘性差的问题。[0007]本