半导体引线框架蚀刻设备的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114724958A(43)申请公布日2022.07.08(21)申请号202210324372.4C25D3/46(2006.01)(22)申请日2022.03.29C25D3/48(2006.01)C25D3/50(2006.01)(71)申请人昆山一鼎工业科技有限公司C25D3/56(2006.01)地址215300江苏省苏州市昆山市玉山镇C25D7/00(2006.01)望山北路399号(72)发明人门松明珠周爱和(74)专利代理机构常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙)32409专利代理师吴霜(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)C25D3/12(2006.01)C25D3/20(2006.01)C25D3/22(2006.01)C25D3/30(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图2页(54)发明名称半导体引线框架蚀刻设备的制造方法(57)摘要本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域，具体涉及半导体引线框架蚀刻设备的制造方法，以及通过所述半导体引线框架蚀刻设备，生产加工精密半导体引线框架的方法。具体包括由铜合金素材的清洗和表面粗化工艺、素材与感光干膜的贴合、采用激光设备通过掩模版对贴膜后素材曝光处理、显影、蚀刻、脱膜工艺以及各种电解金属工艺所组成。本发明的半导体引线框架蚀刻生产制造设备，为制备加工复杂精密半导体引线框架提供了切实可行的生产制造技术；通过本发明方法获得的具有表面粗糙度的半导体引线框架，蚀刻精密度高，其表面残留物大幅减少，电解各种金属膜厚分布均匀并且其界面的结合力有显著提高。CN114724958ACN114724958A权利要求书1/2页1.一种半导体引线框架蚀刻设备的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对铜合金素材进行清洗，直至去除表面的油污、杂质、以及表面的金属氧化物，并对表面进行粗化处理后烘干；S2：将经过S1步骤处理的铜合金材料表面均匀粘贴感光干膜；S3：使用产品图形掩膜版，通过连续处理设备进行曝光处理10‑120秒，将产品图案转移至感光干膜上；S4：将S3曝光处理的铜合金材料连续通过显影设备处理系统，经过显影溶液的喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击、处理时间为30‑120秒，以处理除去非曝光区域的感光干膜，得到在铜合金材料表面上具有产品结构图案的感光干膜；S5：将经过S4步骤处理的铜合金材料进行水洗、酸浸渍处理、水洗、烘干后得到清洁的铜合金材料表面上具有产品结构图案的感光干膜；S6：将经过S5步骤处理的铜合金材料连续通过蚀刻设备处理系统，经过预蚀刻和蚀刻溶液的喷射润湿、喷射浸渍和喷射冲击、共需约270‑390秒的处理溶解除去无曝光感光干膜的铜合金区域，得到蚀刻图案的连续铜合金材料；S7：在S6步骤进行蚀刻处理工艺的同时，通过蚀刻溶液自动分析和自动补加设备的对药水浓度的实时分析并实时补加药水成分，维持药水浓度变化范围小，从而保证药水蚀刻能力不产生大的波动。S8：将通过S6和S7步骤处理的铜合金材料进行水洗、酸浸渍处理、水洗、表面粗化得到后续工段能够适用的具有蚀刻图案的连续铜合金材料；S9：将S8步骤处理的蚀刻图案的连续铜合金材料连续通过除膜设备处理系统，经过脱膜溶液的喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击、共需约150‑210秒的处理除去曝光区域的感光干膜，得到具有产品结构图案的蚀刻铜合金材料；S10：将通过S9步骤处理的铜合金材料进行水洗、酸浸渍处理、水洗得到后续工段能够适用的具有蚀刻图案的连续铜合金材料；S11：将S10得到的清洁的蚀刻图案的连续铜合金材料，用铜保护剂处理、水洗、烘干并收卷得到连续半导体引线框架蚀刻半成品。S12：将S11得到的半导体引线框架蚀刻半成品，通过半导体引线框架电解表面处理装置，制备得到各种精密引线框架产品。2.如权利要求1所述的半导体引线框架蚀刻设备的制造方法，其特征在于，所述步骤S1采用化学浸渍法制备具有适宜表面粗糙度的铜合金材料，所述表面粗糙度范围为0.15‑0.95μm。3.如权利要求2所述的半导体引线框架蚀刻设备的制造方法，其特征在于，所述步骤S4的显影设备处理系统的显影溶液的喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击的压力和速度分别设定和控制，所述喷射压力范围0.3‑1.3Pa，喷射速度范围5.3‑10.3升/分。4.如权利要求3所述的半导体引线框架蚀刻设备的制造方法，其特征在于，所述步骤S5的酸浸渍处理除去残留的显影溶液，所述酸浸渍的处理时间10‑30秒。5.如权利要求4所述的半导体引线框架蚀刻设备的制造方法，其特征在于，所述步骤S6的蚀刻设备处理系统的喷射润湿、喷射浸渍和喷射冲击的各种参数压力、2CN114724958A权利要求书2/2页速度