半导体晶片加工用粘合片及使用了该粘合片的半导体晶片的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103975421103975421A(43)申请公布日2014.08.06(21)申请号201280059971.2代理人刘宗杰巩克栋(22)申请日2012.12.05(51)Int.Cl.(30)优先权数据H01L21/304(2006.01)2011-2673062011.12.06JPC09J7/02(2006.01)2011-2886892011.12.28JPC09J201/02(2006.01)H01L21/301(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.06.05(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2012/0815432012.12.05(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/084952JA2013.06.13(71)申请人琳得科株式会社地址日本东京都(72)发明人富永知亲阿久津高志(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332权权利要求书2页利要求书2页说明书22页说明书22页附图1页附图1页(54)发明名称半导体晶片加工用粘合片及使用了该粘合片的半导体晶片的加工方法(57)摘要本发明提供一种可以作为再剥离型BG片等优选使用的晶片加工用粘合片，其满足如下所述的特性，即，(1)以不会过弱的粘附力在研磨时保护具有凹凸的电路面，(2)加工后的再剥离容易，(3)晶片上的粘附物残渣少。本发明的晶片加工用粘合片，其特征在于，具有基材和形成于该基材上的粘合剂层，该粘合剂层包含粘附性高分子(A)及直链状分子贯穿至少2个环状分子的开口部且在所述直链状分子的两个末端具有封端基而成的聚轮烷(B)，粘附性高分子(A)与聚轮烷(B)的环状分子结合而形成交联结构。CN103975421ACN10397542ACN103975421A权利要求书1/2页1.一种晶片加工用粘合片，具有基材和形成于该基材上的粘合剂层，该粘合剂层包含粘附性高分子(A)及直链状分子贯穿至少2个环状分子的开口部且在所述直链状分子的两个末端具有封端基而成的聚轮烷(B)，粘附性高分子(A)与聚轮烷(B)的环状分子结合而形成交联结构。2.根据权利要求1所述的晶片加工用粘合片，其中，所述粘附性高分子(A)具有反应性官能团，所述环状分子具有反应性官能团，并且形成所述粘附性高分子(A)的反应性官能团与所述环状分子的反应性官能团直接或间接地结合而成的交联结构。3.根据权利要求1或2所述的晶片加工用粘合片，其中，所述粘合剂层的25℃下的储能弹性模量为2.5MPa以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶片加工用粘合片，其中，切割为25mm宽度的状态下的、从硅晶片镜面剥离时的粘附力为5000mN/25mm以下。5.根据权利要求2～4所述的晶片加工用粘合片，其中，所述粘附性高分子(A)和聚轮烷(B)所具有的各自的反应性官能团借助具有能够与所述粘附性高分子(A)的反应性官能团反应的交联性基团及能够与所述聚轮烷(B)反应的交联性基团的交联剂(C)结合，形成交联结构。6.根据权利要求5所述的晶片加工用粘合片，其中，具有如下的粘合剂层，即，所述粘附性高分子(A)的反应性官能团和聚轮烷(B)的反应性官能团是相同的官能团，在将粘附性高分子(A)所具有的反应性官能团的数目设为1时，聚轮烷(B)所具有的反应性官能团的数目的相对比α和交联剂(C)所具有的交联性基团的数目的相对比β满足1+α－β≤1.5的关系。7.根据权利要求5或6所述的晶片加工用粘合片，其中，所述粘附性高分子(A)和聚轮烷(B)的反应性官能团为羟基，所述交联剂(C)的交联性基团为异氰酸酯基。8.根据权利要求1～7中任一项所述的晶片加工用粘合片，其中，所述粘合剂层的设为1mm的厚度时的断裂伸长率为100％以上。9.根据权利要求1～8中任一项所述的晶片加工用粘合片，其中，所述粘合剂层的凝胶百分率为90％以上。10.一种半导体晶片的加工方法，在权利要求1～9中任一项所述的晶片加工用粘合片的粘合剂层上，贴附表面形成有电路的半导体晶片的电路表面，进行所述半导体晶片的背面加工。11.根据权利要求10所述的半导体晶片的加工方法，其中，所述半导体晶片的背面加工为背面研磨。12.一种半导体晶片的加工方法，在权利要求1～9中任一项所述的晶片加工用粘合片的粘合剂层上，贴附表面形成有电路的半导体晶片，进行所述半导体晶片的划片。13.一种半导体芯片的制造方法，包括如下的工序，即，由形成了具有凸块的电路的半导体晶片表面形成比该晶片厚度浅的刻入深度的槽，在所述电路形成面，贴附权利要求2CN103975421A权利要求书2/2页1～9中任一项所述的粘合片，其后通过进行所述半导体晶片的背面研磨而减小晶片的厚度，并且最终分割