一种具有高黏附性的ArF光刻胶树脂及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110734520A(43)申请公布日2020.01.31(21)申请号201910954317.1(22)申请日2019.10.09(71)申请人宁波南大光电材料有限公司地址315800浙江省宁波市北仑区大碶街道宝山路1289号1005-1006室(72)发明人马潇陈鹏樊丹周浩杰毛智彪许从应(74)专利代理机构深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)44333代理人左光明(51)Int.Cl.C08F220/18(2006.01)C08F220/32(2006.01)C08F220/44(2006.01)G03F7/004(2006.01)权利要求书3页说明书6页附图2页(54)发明名称一种具有高黏附性的ArF光刻胶树脂及其制备方法(57)摘要本发明适用于电路制造材料技术领域，提供了一种具有高黏附性的ArF光刻胶树脂及其制备方法。该ArF光刻胶树脂含有如下按重量百分比计的组分：10％～40％内酯单体、20％～60％酸保护单体、0％～25％非极性单体和0％～15％腈基单体。本发明引入腈基结构，可以增加树脂与基材表面的作用力，增加黏附性，且腈基与硅烷偶联剂不同，不会与基材表面分子形成化学键。因此，在显影过程中可轻松去除，不会产生残留。使用本发明的ArF光刻胶树脂制备的光刻胶具有优异的黏附性，曝光区内的光刻胶没有残留，减小了光刻图形缺陷，提升了产品良率，光刻图形没有出现倒胶和剥离现象。CN110734520ACN110734520A权利要求书1/3页1.一种具有高黏附性的ArF光刻胶树脂，其特征在于，含有如下按重量百分比计的组分：10％～40％内酯单体、20％～60％酸保护单体、0％～25％非极性单体和0％～15％腈基单体；所述腈基单体具有如下结构：其中，R3＝H或CH3；R9＝CnH2n，n为1-12的整数；R10＝CnH2n，n为1-12的整数。2.如权利要求1所述的ArF光刻胶树脂，其特征在于，所述ArF光刻胶树脂含有如下按重量百分比计的组分：20％～30％内酯单体、30％～50％酸保护单体、5％～15％非极性单体和1％～10％腈基单体。3.如权利要求1或2所述的ArF光刻胶树脂，其特征在于，所述内酯单体具有如下结构：其中：R1＝CnH2n，n为1-5的整数；R2＝CnH2n，n为1-5的整数；R3＝H或CH3，R6＝CnH2n，n为1-5的整数。4.如权利要求1或2所述的ArF光刻胶树脂，其特征在于，所述酸保护单体具有如下结构：2CN110734520A权利要求书2/3页其中，R3＝H或CH3；R4＝CnH2n+1，n为1-10的整数；R5＝H或CH3；R8＝CnH2n+1，n为1-10的整数。5.如权利要求1或2所述的ArF光刻胶树脂，其特征在于，所述非极性单体具有如下结构：其中，R3＝H或CH3；R11＝CnH2n+1，n为1-10的整数；R12＝CnH2n+1，n为1-10的整数。6.权利要求1或2所述的ArF光刻胶树脂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将10％～40％内酯单体、20％～60％酸保护单体、0％～25％非极性单体和0％～15％腈基单体加入充满氮气的反应釜内，往所述反应釜内加入乙酸乙酯，搅拌均匀后将反应釜升温至77-79℃，接着向所述反应釜内滴加第一乙酸乙酯和引发剂的混合液，于77-79℃反应7小时，停止反应，将所述反应釜温度冷却至室温；所述百分比为重量百分比；(2)向步骤(1)中降至室温的反应釜内加入第一甲醇，产生沉淀1h后，导出所述反应釜内的液体，接着往所述反应釜内加入第二乙酸乙酯至沉淀溶解；所述第一甲醇的重量与所述第一乙酸乙酯的重量的比为100:1；(3)往步骤(2)的反应釜内加入第二甲醇，重复步骤(2)的操作，得到固体沉淀物，将所述固体沉淀物置于真空干燥，得到ArF光刻胶树脂；所述第一甲醇的重量与所述第二甲醇的重量相同。7.如权利要求6所述的ArF光刻胶树脂的制备方法，其特征在于，步骤(1)中：所述滴加的时间≤30min；所述第一乙酸乙酯与所述引发剂的质量比为5:1-8:1。8.如权利要求7所述的ArF光刻胶树脂的制备方法，其特征在于，步骤(1)中：所述内酯3CN110734520A权利要求书3/3页单体与所述第一乙酸乙酯的质量比为(30-35)：(8-10)；所述引发剂为过氧化二苯甲酰。9.如权利要求6所述的ArF光刻胶树脂的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述重复的次数为5次。10.一种光刻胶，由权利要求1或2所述ArF光刻胶树脂制备得到。4CN110734520A说明书1/6页一种具有高黏附性的ArF光刻胶树脂及其制备方法技术领域[0001]本发明属于电路制造材料技术领域，尤其涉及一种具有高黏附性的A