一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112876602A(43)申请公布日2021.06.01(21)申请号202110102266.7G03F7/004(2006.01)(22)申请日2021.01.26(71)申请人宁波南大光电材料有限公司地址315800浙江省宁波市北仑区柴桥街道青山路21号(72)发明人顾大公许东升余绍山齐国强岳力挽马潇李珊珊毛智彪许从应(74)专利代理机构深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)44333代理人贾振勇(51)Int.Cl.C08F220/20(2006.01)C08F220/32(2006.01)C08F220/18(2006.01)权利要求书4页说明书8页(54)发明名称一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法(57)摘要本发明实施例提供了一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法，其中所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂包括以下重量百分比的原料：23～65％极性单体、23～65％非极性单体、25～55％多羟基抗刻蚀单体。本发明实施例所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂在不损失原有193nm光刻胶树脂性能的基础上，通过在光刻胶树脂中引入含有多羟基抗刻蚀基团，不仅促进光刻胶树脂在显影后的溶解性，而且显著减小了显影后的光刻胶的残留，改善了线条边缘粗糙度，减少光刻胶缺陷率。CN112876602ACN112876602A权利要求书1/4页1.一种低缺陷的193nm光刻胶树脂，其特征在于，包括以下重量百分比的原料：23～65％极性单体、23～65％非极性单体、25～55％多羟基抗刻蚀单体；所述多羟基抗刻蚀单体具有如下结构：其中，R1为氢原子或甲基，m为大于或等于2的整数。2.根据权利要求1所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂，其特征在于，所述抗刻蚀基团为金刚烷、降冰片或环状、笼状化合物中任意一种。3.根据权利要求2所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂，其特征在于，所述多羟基抗刻蚀单体具有如下结构：2CN112876602A权利要求书2/4页3CN112876602A权利要求书3/4页其中，R1为氢原子或甲基，R2为氧原子或碳原子，R3为氢原子或分子式为CnH2n+1的烷基(n为大于1的整数)，m为等于或大于2的整数。4.根据权利要求1所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂，其特征在于，所述光刻胶树脂的分子量为3000‑40000，所述光刻胶树脂的分子量分布低于2.0。5.一种根据权利要求1‑4任一项所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将极性单体、非极性单体、多羟基抗刻蚀单体、过氧化二苯甲酰及反应溶剂充分溶解得到混合液体，其中，所述过氧化二苯甲酰与所述多羟基抗刻蚀单体的质量比为(0.3～0.7)：1，所述反应溶剂与所述过氧化二苯甲酰的体积(mL)质量(g)比为(38～20)：1；通入氮气对所述混合液体进行除氧25‑35min后，置于60‑80℃温度下进行加热回流10‑16h得到反应溶液；所述反应溶液用冷水淬灭后滴加至沉淀剂中，滴加的速度为6‑10滴/min；滴加完毕后静置1‑1.5h并进行抽滤，得到白色粉末状无规则共聚物即为所述光刻胶树脂。6.根据权利要求5所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂的制备方法，其特征在于，所述反应溶剂为甲醇、乙醇、二氧六环、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、苯、甲苯、二甲苯、氯仿、二氯乙烷、三氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯中的一种或多种。7.根据权利要求5所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂的制备方法，其特征在于，所述沉4CN112876602A权利要求书4/4页淀剂为纯水、甲醇、甲醇/水混合物、乙醇、乙醇/水混合物、异丙醇、异丙醇/水混合物、正庚烷、正己烷、环己烷、正戊烷、石油醚、乙醚、甲基叔丁基醚中的一种或多种。8.一种低缺陷的193nm光刻胶，其特征在于，包括以下重量百分比的原料：1‑10％的光刻胶树脂、0.1‑5％的光致产酸剂、0.001‑1％的添加剂和80‑98％的有机溶剂，所述光刻胶树脂为权利要求1‑4中任意一种光刻胶树脂。9.根据权利要求8所述的低缺陷的193nm光刻胶，其特征在于，所述光敏剂为三芳基硫鎓盐或二芳基碘鎓盐；所述添加剂为正丁基胺、叔丁基胺、二甲基胺、二乙基胺、二正丙胺、二异丙基胺、二正丁基胺、二异丁基胺、二叔丁基胺、三甲基胺、三乙基胺、三正丙胺、三异丙基胺、三正丁基胺、三异丁基胺、三叔丁基胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、环戊胺、环己胺、吗啡啉、N‑甲基环戊胺、甲基苯胺、乙基苯胺、正丁基苯胺、叔丁基苯胺、二甲基苯胺、二乙基苯胺、二丁基苯、二苯基苯胺中的一种或多种。10.根据权利要求8所述的低缺陷的193nm光刻胶，其特征在于，所述有机溶剂为丙二