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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110767538A(43)申请公布日2020.02.07(21)申请号201810837135.1(22)申请日2018.07.26(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)权利要求书5页说明书18页附图13页(54)发明名称版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法(57)摘要本发明提供了一种版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法。由于掩膜图案具有多个截断图形区,多个截断图形区靠近设置在遮盖图形区的边界上,从而在利用掩膜图案将第一特征图案界定为第二特征图案时,即可使所界定出的第二特征图案具有邻近截断图形区的边缘部分,并且该边缘部分在面对截断图形区的一侧与邻近的第二特征图案中的其他部分之间存在较大的空白区域。如此一来,在第二特征图案的边缘部分上定义出节点区时,即相应地为节点区预留出更大的空间区域,有效降低了后续在该节点区上所执行的相应工艺的制备难度并可增加相关工艺的制程窗口。CN110767538ACN110767538A权利要求书1/5页1.一种版图结构,其特征在于,包括:第一特征图案,所述第一特征图案包括至少一个第一子图案;以及,掩膜图案,设置在所述第一特征图案的上方,所述掩膜图案具有遮盖图形区和多个截断图形区,所述遮盖图形区在第二方向上具有两个相对的第一边界和第二边界,所述第一边界和所述第二边界均沿着第一方向延伸;以及,多个所述截断图形区分别设置在靠近所述第一边界和所述第二边界的区域中;其中,所述掩膜图案的所述遮盖图形区遮盖所述第一特征图案的所述第一子图案,并使每一所述第一子图案部分暴露于所述截断图形区,所述第一子图案中暴露于所述截断图形区的部位相对于所述第一子图案的中心线呈偏移配置,并将所述第一子图案中被遮盖的部分界定为多个分断的第二子图案,多个所述第二子图案构成一第二特征图案,并且在所述第二特征图案的多个第二子图案相对于邻近第二子图案的多个突出段中定义有多个第一节点区和第二节点区,所述第一节点区和所述第二节点区分别靠近所述遮盖图形区的所述第一边界和所述第二边界,以使所述第一节点区和所述第二节点区邻近所述截断图形区。2.如权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述第一特征图案包括多个所述第一子图案,所述第一子图案为环状子图案,多个所述环状子图案沿着所述第一方向依次平行排布;以及,所述环状子图案具有两条相互平行的线条,所述线条沿着所述第二方向延伸,并在其延伸方向上具有两个相对的第一线条端部和第二线条端部,所述环状子图案的两条所述线条的端部相互连接而具有连接部。3.如权利要求2所述的版图结构,其特征在于,所述掩膜图案的所述遮盖图形区从所述环状子图案的中间区域至端部方向延伸遮盖所述环状子图案,以及对应所述第一边界的截断图形区暴露出所述环状子图案的其中一线条的第一线条端部,对应所述第二边界的截断图形区暴露出所述环状子图案中另一线条的第二线条端部,以将所述第一特征图案中的一个所述环状子图案界定为两个相互分隔的条状子图案,并由多个所述条状子图案构成所述第二特征图案。4.如权利要求3所述的版图结构,其特征在于,所述截断图形区位于所述遮盖图形区的所述第一边界和所述第二边界之间的区域中,以由所述遮盖图形区围绕出所述截断图形区。5.如权利要求4所述的版图结构,其特征在于,所述掩膜图案的所述遮盖图形区遮盖所述环状子图案的所述连接部,以从所述环状子图案的线条端部将所述环状子图案界定为两个所述条状子图案,并由所述线条和所述连接部构成所述条状子图案,并且在所述条状子图案的所述连接部上定义出所述第一节点区和所述第二节点区。6.如权利要求4所述的版图结构,其特征在于,所述截断图形区的形状包括矩形、圆形或椭圆形。7.如权利要求3所述的版图结构,其特征在于,所述截断图形区位于所述遮盖图形区的所述第一边界或所述第二边界上,并且从所述第一边界或所述第二边界往所述遮盖图形区的中心方向延伸,以使所述截断图形区从所述第一边界或所述第二边界嵌入到所述遮盖图形区中,对应同一边界上的多个所述截断图形区在所述遮盖图形区的边界之外相互连通。8.如权利要求7所述的版图结构,其特征在于,所述掩膜图案的每一所述截断图形区暴2CN110767538A权利要求书2/5页露出所述环状子图案中的其中一线条的端部,并往远离遮盖图形区中心的方向延伸暴露出至少部分所述连接部。9.如权利要求8所述的版图结构,其特征在于,所述环状子图案中的线条和部分连接部构成所述第二特征图案中的条状子图案,并且在所