版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法.pdf
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版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法.pdf
本发明提供了一种版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法。由于掩膜图案具有多个截断图形区,多个截断图形区靠近设置在遮盖图形区的边界上,从而在利用掩膜图案将第一特征图案界定为第二特征图案时,即可使所界定出的第二特征图案具有邻近截断图形区的边缘部分,并且该边缘部分在面对截断图形区的一侧与邻近的第二特征图案中的其他部分之间存在较大的空白区域。如此一来,在第二特征图案的边缘部分上定义出节点区时,即相应地为节点区预留出更大的空间区域,有效降低了后续在该节点区上所执行的相应工艺的制备难度并可增加相关工艺的制程窗口。
半导体结构及其形成方法以及半导体器件.pdf
本发明提供了一种半导体结构的形成方法,包括在源漏接触金属层上形成填满沟槽的第二瓶塞材料层,并使所述第二瓶塞材料层的顶面高于覆盖栅极结构顶面的第一瓶塞材料层的顶面,有利于拓展不同瓶塞材料层的材料选择自由度,使得栅极和源漏接触可以仅使用一种瓶塞材料,从而简化了加工工艺。本发明还提供了通过所述形成方法得到的半导体结构以及包括所述半导体结构的半导体器件。
用于形成半导体器件的方法以及半导体器件.pdf
一种形成半导体器件的方法包括:在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分;以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外,该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分,以在半导体器件的背侧处露出多个非半导体材料部分。此外,该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面:去除多个非半导体材料部分中的至少子集,而保留半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分;或者去除半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分,而保留
形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件.pdf
本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括:(a)在衬底上形成第一和第二绝缘层;(b)形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模;(c)形成向下至第一绝缘层下端的通孔;(d)以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层;(e)形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模;(f)形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔;(g)去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分;(h)通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔;(i)
半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图.pdf
一种半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图,半导体结构包括:基底,包括衬底、以及位于衬底上的多个平行排列的鳍部,衬底包括晶体管单元区,在晶体管单元区中,在与鳍部延伸方向相垂直的方向上,最靠近晶体管单元区边界处的鳍部为边缘鳍部,且边缘鳍部具有朝向晶体管单元区边界的外侧壁;栅极结构,横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁,栅极结构至少露出任一边缘鳍部的部分外侧壁。本发明通过使栅极结构至少露出任一边缘鳍部的部分外侧壁,使得被栅极结构所覆盖的边缘鳍部的侧壁面积减小,从而能够在确保晶体管正常工作的情况下,通过调节对