用于形成半导体器件的方法以及半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107527817A(43)申请公布日2017.12.29(21)申请号201710469822.8(51)Int.Cl.(22)申请日2017.06.20H01L21/336(2006.01)H01L21/28(2006.01)(30)优先权数据H01L29/41(2006.01)102016111321.22016.06.21DEH01L29/78(2006.01)(71)申请人英飞凌科技股份有限公司地址德国瑙伊比贝尔格市(72)发明人奥利弗·黑尔蒙德彼得·伊尔西格勒塞巴斯蒂安·施密特汉斯-约阿希姆·舒尔策马丁纳·赛德尔-施密特(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人蔡胜有苏虹权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称用于形成半导体器件的方法以及半导体器件(57)摘要一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分；以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外，该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分，以在半导体器件的背侧处露出多个非半导体材料部分。此外，该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面：去除多个非半导体材料部分中的至少子集，而保留半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分；或者去除半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分，而保留多个非半导体材料部分。CN107527817ACN107527817A权利要求书1/2页1.一种用于形成半导体器件的方法(100)，所述方法包括：在半导体衬底的第一侧处形成(110)多个非半导体材料部分；在所述多个非半导体材料部分上形成(120)半导体材料以将所述多个非半导体材料部分埋置在所述半导体材料内；从所述半导体衬底的第二侧去除(130)所述半导体衬底的至少一部分以在所述半导体器件的背侧处露出所述多个非半导体材料部分；通过如下方式在所述半导体器件的背侧处形成(140)粗糙表面：去除所述多个非半导体材料部分的至少一子集而保留所述半导体材料的侧向地位于所述多个非半导体材料部分之间的至少一部分，或者去除所述半导体材料的侧向地位于所述多个非半导体材料部分之间的至少一部分而保留所述多个非半导体材料部分；以及在所述粗糙表面处形成(150)背侧金属化结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分包括大于200nm的垂直尺寸。3.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分包括小于5μm的垂直尺寸。4.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分包括大于100nm的侧向宽度。5.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分包括小于3μm的侧向宽度。6.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分中的沿着至少一个侧向方向的相邻的非半导体材料部分之间的侧向距离大于100nm。7.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分的沿着至少一个侧向方向的相邻的非半导体材料部分之间的侧向距离小于20μm。8.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中形成(110)所述多个非半导体材料部分包括：形成多个沟槽并且在所述多个沟槽内形成非半导体材料，或者在所述半导体衬底上形成非半导体材料层并且对所述非半导体材料层进行结构化。9.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中形成在所述多个非半导体材料部分上的所述半导体材料的厚度大于2μm。10.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中在所述多个非半导体材料部分上形成(120)所述半导体材料包括外延生长所述半导体材料，使得所述多个非半导体材料部分由于侧向过生长而被埋置。11.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分中的非半导体材料部分以重复图案布置。12.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分包括绝缘材料。13.根据前述权利要求中之一所述的方法，还包括：在去除非半导体材料部分之前，在所述半导体衬底的背侧在边缘终止区处形成掩模层，其中在由所述掩模层露出的区域处，所述多个非半导体材料部分的非半导体材料部分被去除。14.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述多个非半导体材料部分包括三元2CN107527817A权利要求书2/2页碳化物、三元氮化物或金属。15.根据前述权利要求中之一所述的方法，其中所述背侧金属化结构接触所述多个非半导体材料部分。16.根据前述权利要求中之一所述的方法，还包括在形成在所述多个非半导体材料部分上的所述半导体材料的表面处形成多个电元件结构。17.根据前述权利要求中之一所述的方法