内容提供者
半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图.pdf
2023-05-31
10金币
236KB
1页
雨星****萌娃
实名认证
内容提供者
1/1
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图.pdf
一种半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图，半导体结构包括：基底，包括衬底、以及位于衬底上的多个平行排列的鳍部，衬底包括晶体管单元区，在晶体管单元区中，在与鳍部延伸方向相垂直的方向上，最靠近晶体管单元区边界处的鳍部为边缘鳍部，且边缘鳍部具有朝向晶体管单元区边界的外侧壁；栅极结构，横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁，栅极结构至少露出任一边缘鳍部的部分外侧壁。本发明通过使栅极结构至少露出任一边缘鳍部的部分外侧壁，使得被栅极结构所覆盖的边缘鳍部的侧壁面积减小，从而能够在确保晶体管正常工作的情况下，通过调节对
2023-05-31
10
236KB
转接板及其形成方法、封装结构以及掩膜版版图.pdf
一种转接板及其形成方法、以及掩膜版版图，方法包括：在电容单元区中，在上电极的顶部形成贯穿第一介质层的第一电极插塞，第一电极插塞的形状为条形，且第一电极插塞沿第二方向延伸；在子电容区中，在上电极露出的下电极的顶部形成贯穿第一介质层的第二电极插塞，第二电极插塞的形状为梳状，第二电极插塞包括第一梳柄部以及与第一梳柄部相连的第一梳齿部，第一梳柄部位于第一电极插塞靠近电容区边界处的一侧并沿第一方向横穿电容区，第一梳齿部位于电容单元区的两侧。从增大接触面积以及缩短电流传输路径两方面，使得转接板中的电容器的阻抗下降，从
2023-05-26
10
4.8MB
掩膜版版图及其设计方式以及图像传感器.pdf
本发明提供一种掩膜版版图及其设计方式以及图像传感器，所述掩膜版版图包括对应形成子像素的若干第一图案、围绕所述第一图案的透光区及穿过所述透光区并相连于相邻所述第一图案之间的第二图案。所述连接结构可以有效保证高温过程中硅柱相互之间的晶格匹配，起到类似籽晶的作用，侧向PN结构之间不存在晶格失配，大幅减少刻蚀过程以及外延封闭沟槽时所产生的缺陷，有效地减少了图像传感器的暗电流和白点。而且，至少部分所述第二图案的中部沿所述第一方向或沿所述第二方向延伸，保证连接结构底部的衬底能较为轻易贯穿，增加工艺窗口，同时保留底部沟
2023-11-05
10
692KB
缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法.pdf
一种缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法，其中缺陷检测方法包括：提供目标版图，所述目标版图中包括若干目标图形，若干所述目标图形均沿第二方向延伸；根据所述目标版图获取待修正图像，所述待修正图像中包括若干待修正图形，所述待修正图形与所述目标图形对应；根据所述目标版图对所述待修正图像进行检测，获取所述待修正图像中相邻的缺陷图形；获取相邻所述缺陷图形中的待修正区域。通过获取的所述待修正区域，为后续修正掩膜版及半导体结构的形成提供修正基础。
2023-07-24
10
951KB
版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法.pdf
本发明提供了一种版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法。由于掩膜图案具有多个截断图形区，多个截断图形区靠近设置在遮盖图形区的边界上，从而在利用掩膜图案将第一特征图案界定为第二特征图案时，即可使所界定出的第二特征图案具有邻近截断图形区的边缘部分，并且该边缘部分在面对截断图形区的一侧与邻近的第二特征图案中的其他部分之间存在较大的空白区域。如此一来，在第二特征图案的边缘部分上定义出节点区时，即相应地为节点区预留出更大的空间区域，有效降低了后续在该节点区上所执行的相应工艺的制备难度并可增加相关工艺的制程窗口。
2023-11-14
10
1.7MB