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半导体结构及其形成方法以及半导体器件.pdf
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本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括在源漏接触金属层上形成填满沟槽的第二瓶塞材料层，并使所述第二瓶塞材料层的顶面高于覆盖栅极结构顶面的第一瓶塞材料层的顶面，有利于拓展不同瓶塞材料层的材料选择自由度，使得栅极和源漏接触可以仅使用一种瓶塞材料，从而简化了加工工艺。本发明还提供了通过所述形成方法得到的半导体结构以及包括所述半导体结构的半导体器件。
2023-06-01
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一种半导体结构及其形成方法、半导体器件，形成方法包括：提供基底，包括第一区域以及位于相邻第一区域之间的第二区域；在基底上形成多个分立的第一硬掩膜层和位于第一硬掩膜层侧壁上的牺牲侧墙，相邻牺牲侧墙和基底围成开口；形成填充于开口内的第二硬掩膜层；形成第二硬掩膜层后，去除第二区域的牺牲侧墙，保留第一区域的剩余牺牲侧墙作为刻蚀缓冲层；以第一硬掩膜层和第二硬掩膜层为掩膜，在同一步骤中刻蚀刻蚀缓冲层和部分厚度的基底，在第一区域的剩余基底内形成第一凹槽，在第二区域的剩余基底内形成第二凹槽，第一凹槽的深度小于第二凹槽的深
2023-11-13
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半导体器件及其形成方法、半导体结构.pdf
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括电阻区；形成覆盖基底的第一介质层；形成覆盖第一介质层的牺牲层；依次图形化牺牲层和第一介质层，在电阻区的第一介质层内形成凹槽；在凹槽的底部和侧壁上形成电阻材料层，电阻材料层还覆盖剩余牺牲层；形成覆盖电阻材料层的刻蚀停止材料层；去除高于凹槽顶部的刻蚀停止材料层和电阻材料层，保留凹槽中的剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层，保留凹槽中的剩余电阻材料层作为电阻层；形成刻蚀停止层和电阻层后，去除剩余牺牲层。本发明通过形成牺牲层和凹槽，增大了后续形成互连通孔的工
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用于形成半导体器件的方法以及半导体器件.pdf
一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分；以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外，该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分，以在半导体器件的背侧处露出多个非半导体材料部分。此外，该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面：去除多个非半导体材料部分中的至少子集，而保留半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分；或者去除半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分，而保留
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本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括：（a）在衬底上形成第一和第二绝缘层；（b）形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分；（h）通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔；（i）
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