小型化抗干扰电路封装结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110808237A(43)申请公布日2020.02.18(21)申请号201910983911.3(22)申请日2019.10.16(71)申请人中国电子科技集团公司第十三研究所地址050051河北省石家庄市合作路113号(72)发明人郑宏斌吴立丰李晓斌崔贝贝张越成曹翠娇张磊李保林张恒晨邓志远(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所13120代理人王朝(51)Int.Cl.H01L23/498(2006.01)H01L23/552(2006.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称小型化抗干扰电路封装结构及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种小型化抗干扰电路封装结构，属于数字电路设计领域，包括上基板，上基板顶面设有顶层元器件，底面上设有底层元器件；下基板，设于上基板底部，中部留空，留空与上基板的底面形成容纳腔；屏蔽层，设于上基板内部。该小型化抗干扰电路封装结构能有效解决数字电路空间串扰的问题，体积小，占用空间少，有利于电路封装结构的小型化设计和应用。本发明还提供一种小型化抗干扰电路封装结构制造方法，包括步骤：制作上基板并在上基板内植入屏蔽层；制作下基板，在下基板中部留空；使上基板和下基板固接并导电连接；安装顶层元器件和底层元器件。该制造方法工艺兼容性强，有利于降低电路封装结构的制造成本。CN110808237ACN110808237A权利要求书1/1页1.小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于，包括：上基板，所述上基板顶面上设有顶层元器件，所述上基板底面上设有底层元器件；下基板，设于所述上基板底部，所述下基板中部留空，所述留空与所述上基板的底面形成用于容纳所述底层元器件的容纳腔；屏蔽层，设于所述上基板内部。2.如权利要求1所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述上基板的外缘设有第一金属化过孔，所述上基板的顶面和底面上分别设有与所述第一金属化过孔导电连接的上基板互联焊盘；所述下基板的外缘设有分别与所述第一金属化过孔对应的第二金属化过孔，所述下基板的顶面设有与所述第二金属化过孔导电连接的下基板顶层互联焊盘，所述下基板的底面上设有与所述第二金属化过孔导电连接的下基板底层焊盘；所述屏蔽层与所述第一金属化过孔导电连接。3.如权利要求2所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述上基板为多层印制电路板，包括多层层叠设置的印制电路板体，所述屏蔽层设于所述上基板内相邻两层印制电路板体之间。4.如权利要求3所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述上基板内部设有上基板盲孔和与所述上基板盲孔导电连接的上基板内部导线，所述顶层元器件通过所述上基板盲孔和所述上基板内部导线形成的上基板内部导电结构与所述第一金属化过孔导电连接，所述底层元器件通过所述上基板盲孔和所述上基板内部导线形成的上基板内部导电结构与所述第一金属化过孔导电连接，所述屏蔽层与所述上基板盲孔导电连接。5.如权利要求2所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述第一金属化过孔在所述上基板的外缘呈环形阵列分布，所述第二金属化过孔在所述下基板的外缘呈环形阵列分布。6.如权利要求2所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：位于所述上基板同一板面上的至少两个相邻的所述上基板互联焊盘之间设有上基板公共连接带，至少两个相邻的所述下基板顶层互联焊盘之间设有下基板公共连接带。7.如权利要求1所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述上基板的顶面上设有用于与所述顶层元器件焊接的顶层焊盘，所述上基板的底面上设有用于与所述底层元器件焊接的底层焊盘。8.如权利要求1所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述下基板为多层印制电路板。9.如权利要求1所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述屏蔽层为金属屏蔽层。10.小型化抗干扰电路封装结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：制作上基板，并在上基板内植入屏蔽层；制作下基板，在所述下基板中部留空；使所述上基板和所述下基板固接，并使所述上基板和所述下基板导电连接；将顶层元器件安装于所述上基板的顶面上，将底层元器件安装于位于所述容纳腔中的所述上基板的底面上。2CN110808237A说明书1/5页小型化抗干扰电路封装结构及其制造方法技术领域[0001]本发明属于数字电路设计技术领域，更具体地说，是涉及一种小型化抗干扰电路封装结构及制造该小型化抗干扰电路封装结构的制造方法。背景技术[0002]随着微电子系统集成度越来越高，功能越来越复杂，对数字电路元器件数量和高密度布局也提出了更高的要求，需要在有限空间集成更多的数字电路元器件，而且还要考虑器件间的互相干扰和电磁屏蔽等问题，保证数字电路的高质量、高稳定工