封装结构及其制造方法.pdf
雨巷****珺琦
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封装结构及其制造方法.pdf
本发明是关于一种封装结构以及其制造方法。该封装结构包含一基材层、多个芯片、一复合树脂层以及一支撑层。该基材层形成有一电路,该电路具有多个接点,自一防焊层显露出来。这些芯片结合至该基材层上,以形成一第一带体。其中,各该芯片具有多个接垫、形成于这些接垫上的多个凸块下金属层以及设置于这些凸块下金属层上的多个复合凸块。该第二带体包含支撑层及形成于支撑层上的复合树脂层。又第一带体与第二带体皆为卷带结构受滚轮传动展开,以于被加热和加压后封装这些芯片。本发明的优点是:可通过减少金的使用,以降低制造成本;其工艺可运用于大
封装结构及其制造方法.pdf
一种封装结构及其制造方法,包括芯片、重布线路结构、成型模料结构以及电磁干扰遮蔽结构。所述重布线路结构设置在所述芯片上并形成电性连接。所述成型模料结构环绕所述芯片以及所述重布线路结构的外围设置。所述电磁干扰遮蔽结构环绕所述成型模料结构的外围设置。通过所述成型模料结构环绕所述芯片以及所述重布线路结构的外围设置,以提供对结构的多面保护及强化。通过所述电磁干扰遮蔽结构环绕所述成型模料结构的外围设置,以提供对所述芯片以及所述重布线路结构的多面电磁干扰防护。借此达到提升结构强度以及使用可靠性、稳定性的目的。
封装结构及其制造方法.pdf
本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法,该方法包括:提供衬底;提供至少一芯片于衬底上,且芯片具有顶表面、底表面与侧表面;以及形成保护层以覆盖芯片的至少部分的侧表面。其中,芯片包括:基材、半导体层、栅极结构、源极结构与漏极结构、至少一介电层及至少一焊垫。半导体层设置于基材上。栅极结构设置于半导体层上。源极结构与漏极结构设置于栅极结构的相对侧上。介电层覆盖栅极结构、源极结构与漏极结构。焊垫设置于介电层上,且贯穿介电层以电连接栅极结构、源极结构或漏极结构。
封装结构及其制造方法.pdf
本公开实施例涉及半导体领域,提供一种封装结构及其制造方法,其中,封装结构包括:堆叠件,堆叠件包括多个层叠的半导体器件;多个电连接部,电连接部位于堆叠件的一侧,且每一电连接部与相应的两个半导体器件电连接多条导线,每一所述线连接一电连接部和至少两个半导体器件;其中,每一导线包括公用部以及与公用部一端连接的至少两个连接部,公用部的另一端连接到电连接部,每一连接部分别连接到相应的半导体器件。至少可以解决封装结构中存在的stub效应引起的反射问题以及时延较大的问题。
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本发明公开了一种封装结构,包括金属层、绝缘复合层、封胶、芯片、线路层结构及保护层。绝缘复合层配置于金属层上。封胶结合于绝缘复合层上。芯片嵌埋于封胶中并具有多个外露于封胶的电极垫。线路层结构形成于封胶及芯片上。线路层结构包括介电层以及线路层。介电层具有多个导电盲孔并与封胶具有相同的材料组成。线路层位于介电层上并延伸至导电盲孔中,且最底层的线路层借由导电盲孔电性连接于电极垫。保护层形成于线路层结构上。保护层具有多个开口,使得线路层结构的部分表面外露于开口中。本封装结构避免张力不均匀问题,结构强度增加,不易翘曲