异质结半导体器件及其制造方法.pdf
雅云****彩妍
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相关资料
异质结半导体器件及其制造方法.pdf
公开了一种半导体器件,包括:13族氮化物异质结,包括具有第一带隙的第一层和具有第二带隙的第二层,其中,第一层位于衬底和第二层之间;以及肖特基电极和另外的第一电极,分别电连接到异质结的不同区域,所述肖特基电极包括中心区域和边缘区域,其中,器件包括在肖特基电极下方仅位于所述边缘区域下方的导电势垒部分,用于局部增强肖特基电极的肖特基势垒。还公开了一种制造该半导体器件的方法。
超结半导体器件及其制造方法.pdf
本发明涉及一种超结半导体器件及其制造方法。所述制造方法在衬底上形成第一外延层并在其中形成了多个第一柱体,然后再形成第二外延层,并在第二外延层中形成与各个所述第一柱体一一对应的体区,每个体区与对应的第一柱体电接触。第一柱体及与其电接触的体区可以作为超结半导体器件的第二导电类型柱,而与第二导电类型柱邻接的第一外延层部分和第二外延层部分可以作为第一导电类型柱,该方法可以降低超级结的制造难度。进一步的,第一外延层中还可形成浮空的第二柱体,在器件截止操作中可以减缓耗尽速度,使米勒电容的变化变缓,从而降低辐射噪声。
异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法.pdf
本公开的实施例涉及异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法。一种异质外延半导体器件,包括:体半导体衬底;包括第一半导体材料的种子层,该种子层被布置在体半导体衬底的第一侧处并且包括面对体半导体衬底的第一侧、相对的第二侧和连接第一侧和第二侧的横向侧;布置在体半导体衬底和种子层之间的分隔层;异质外延结构,其在种子层的第二侧上生长并且包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料;以及介电材料层,其被布置在种子层上并且至少部分地包封异质外延结构,其中介电材料层还覆盖种子层的横向侧。
异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法.pdf
本公开的各实施例总体上涉及异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法。一种异质外延半导体器件包括种子层、分离层、异质外延结构和第一介电材料层,种子层包括第一半导体材料,种子层包括第一面、相对的第二面以及连接第一面和第二面的侧面,分离层布置在种子层的第一面处,分离层包括孔,异质外延结构至少在孔中生长在种子层的第一面处并且包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料,第一介电材料层布置在种子层的第二面处并且覆盖种子层的侧面。
具有横向半导体异质结的半导体器件和方法.pdf
用于形成具有横向半导体异质结的半导体器件的方法,包括在衬底上与第一金属电极相邻地形成横向半导体异质结的第一金属硫属化物层。第一金属硫属化物层包括与第一金属电极相同的金属,并且第一金属硫属化物层中的至少一些包括来自第一金属电极的金属。与第一金属硫属化物层相邻地形成横向半导体异质结的第二金属硫属化物层。与第二金属硫属化物层相邻地形成第二金属电极。第二金属硫属化物层包括与第二金属电极相同的金属。