一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111129029A(43)申请公布日2020.05.08(21)申请号201911299096.5(22)申请日2019.12.17(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人徐培培(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人张晓薇(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)G02F1/1362(2006.01)G02F1/1368(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法(57)摘要本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。所述阵列基板还包括第一过孔和第二过孔。导电层填充所述第一过孔和所述第二过孔将第一金属层与第二金属层电连接；所述第一过孔位于所述第二过孔的一侧，且钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二过孔之间。显示面板包括上述阵列基板。阵列基板的制造方法包括步骤：制造第一金属层、制造栅极绝缘层、制造第二金属层、制造钝化层、制造光阻层、蚀刻挖孔步骤和制造导电层。通过调整所述第一过孔和所述第二过孔之间的距离实现在制作过程中保留所述第一过孔和所述第二过孔之间钝化层，可避免钝化层下方的栅极绝缘层出现底切现象。CN111129029ACN111129029A权利要求书1/2页1.一种阵列基板，包括第一金属层；栅极绝缘层，位于所述第一金属层上；第二金属层，位于所述栅极绝缘层上；钝化层，位于所述第二金属层上；以及导电层，位于所述钝化层上；其特征在于，所述阵列基板还包括第一过孔，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层并裸露所述第一金属层；以及第二过孔，所述第二过孔贯穿所述钝化层并裸露所述第二金属层；其中，所述导电层铺设于所述第一过孔和所述第二过孔内以电连接所述第一金属层与所述第二金属层；所述第一过孔位于所述第二过孔的一侧，且所述钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二过孔之间；所述钝化层覆盖位于所述第一过孔一侧的所述第二金属层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔与所述第二过孔的间距小于2倍光阻层蚀刻消退距离，所述光阻层蚀刻消退距离为制作所述第一过孔与所述第二过孔时对为保护所述钝化层作用而提供的光阻层的蚀刻消退距离。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层或所述第二金属层的材料为铜、铝、钼中的一种或几种的堆叠组合。4.据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层或所述钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层的材料包括氧化铟锡。6.一种显示面板，包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。7.一种阵列基板的制造方法，包括步骤：制造第一金属层，其为提供一玻璃基底，在玻璃基底上制作所述第一金属层；制造栅极绝缘层，在所述第一金属层上制作所述栅极绝缘层；制造第二金属层，在所述栅极绝缘层上制作所述第二金属层并图形化处理；制造钝化层，在所述栅极绝缘层上制作所述钝化层，所述钝化层覆盖所述第二金属层，并且所述钝化层部分延伸至所述第一金属层上；制造光阻层，在所述钝化层上制作所述光阻层，所述光阻层包括第一蚀刻孔和第二蚀刻孔，所述第二蚀刻孔与所述第二金属层相对设置，所述第一蚀刻孔位于所述第二蚀刻孔的一侧；蚀刻挖孔步骤，在所述光阻层一侧进行蚀刻，蚀刻后形成与所述第一蚀刻孔相对应的第一过孔以及与所述第二蚀刻孔相对应的第二过孔；所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层并裸露所述第一金属层，所述第二过孔贯穿所述钝化层并裸露所述第二金属层，并且所述钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二过孔之间；去除光阻层步骤，去除剩余的所述光阻层；制造导电层，在所述钝化层一侧制作所述导电层，所述导电层铺设于所述第一过孔和所述第二过孔中且将所述第一金属层与所述第二金属层导通。2CN111129029A权利要求书2/2页8.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除剩余的所述光阻层的方式为通过干燥烘烤所述光阻层，使得所述光阻层脱落。9.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，制造光阻层的步骤具体包括：设置光罩，在所述光阻层上设置光罩，所述光罩包括第一通孔以及第二通孔；曝光显影蚀刻，经曝光显影蚀刻后的所述光阻层形成与所述第一通孔相对应的第一蚀刻孔以及与所述第二通孔相对应的第二蚀刻孔。10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光罩包括半色调掩膜板。3CN111129029A说明书1/6页一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法技术领域[0001]本发